Frequency doubling of an InGaAs multiple quantum wells semiconductor disk laser

Jiang, Li; Zhu, Rihong; Jiang, Maohua; Zhang, Dingke; Cui, Yuting; Zhang, Peng; Song, Yanrong

doi:10.1016/j.spmi.2017.12.016

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“…surface-emitting lasers (VECSELs) are compact and versatile laser sources that can offer a high output power, flexible emission wavelength, and diffraction-limited beam quality [1][2][3][4][5]. Since the first VECSEL was demonstrated in 1997 [6], this technology has been widely used in the sodium guide star, environment monitoring, laser displays, and medical applications [7][8][9][10].…”

Section: Introduction Ertical-external-cavitymentioning

confidence: 99%

Nanosecond Pulse Generation in Optically Pumped Dual-Wavelength Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Laser

Zhang

et al. 2022

IEEE Photonics J.

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In this study, nanosecond-pulse lasing was achieved using a vertical-external-cavity surface-emitting laser (VECSEL) with only a single gain chip. A simple linear-cavity setup was used for the VECSEL, and pulsed lasing with a pulse width of ~9 ns and a repetition frequency of ~54 MHz was achieved. Dual-wavelength lasing at 974 and 978 nm was observed. The average output power during pulsed operation exceeded 100 mW. As the pumping power was increased, the laser output power could be switched off. However, stable dual-wavelength emission was maintained. The maximum output power under dual-wavelength operation could reach 455 mW.

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Section: Introduction Ertical-external-cavitymentioning

confidence: 99%

Nanosecond Pulse Generation in Optically Pumped Dual-Wavelength Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Laser

Zhang

et al. 2022

IEEE Photonics J.

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“…Devido à diferença entre os parâmetros de rede do InAs e do GaAs, o crescimento da liga de In Ga 1− As sobre um substrato de GaAs é realizado sob tensão, que altera de maneira significativa a estrutura eletrônica do material tensionado. Hoje, poços quânticos de In Ga 1− As sob tensão são muito importantes para as indústrias micro e optoeletrônicas, uma vez que esses poços podem ser usados em uma ampla gama de dispositivos de alto desempenho, como lasers operando na região de 483 nm [22], por exemplo. Além da tensão, atualmente está bem estabelecido que o crescimento de camadas de InGaAs sobre substratos de GaAs ocorre com uma forte segregação de átomos de índio, que se acumulam na frente de crescimento, resultando em um gradiente da composição de índio na direção de crescimento.…”

Section: Heteroestruturas Semicondutorasunclassified

Simulação computacional de propriedades dinâmicas de heteroestruturas semicondutoras

Melo¹

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Neste trabalho desenvolvemos rotinas computacionais em Python para o cálculo de propriedades dinâmicas (espectros de fotocorrente e absorção) de heteroestruturas semicondutoras baseadas em Dinâmica Quântica. Em uma primeira etapa do desenvolvimento do projeto, a formulação baseada na evolução temporal das soluções da equação de Schrödinger dependente do tempo foi aplicada a sistemas com soluções analíticas conhecidas ou com resultados já reportados na literatura. Devido à excelente concordância entre nossos dados e aqueles já conhecidos, em uma etapa seguinte, foram calculadas as energias de transição observadas em espectros de fotoluminescência para poços quânticos de InGaAs/GaAs, crescidos por MBE, levando-se em conta os efeitos de tensão e segregação de átomos de índio. Na continuidade do projeto, especial atenção foi dada ao desenvolvimento de estratégias para calcular os espectros de absorção e fotocorrente para dispositivos do Estado Sólido. O conjunto de resultados apresentados neste trabalho demonstra que a metodologia desenvolvida é precisa e pode ser utilizada com baixo custo computacional para o modelamento de heteroestruturas semicondutoras mais complexas, que servem de base para o desenvolvimento de dispositivos optoeletrônicos. Palavras-chaves: dinâmica quântica. fotocorrente. espectro de absorção. heteroestruturas semicondutoras. segregação de átomos de índio.

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Frequency doubling of an InGaAs multiple quantum wells semiconductor disk laser

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