2014
DOI: 10.1134/s0012501614080041
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Formation of thin foil of the ordered Pd-Cu solid solution with a CsCl-type lattice during magnetron sputtering

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2

Citation Types

0
0
0
2

Year Published

2015
2015
2020
2020

Publication Types

Select...
6

Relationship

0
6

Authors

Journals

citations
Cited by 11 publications
(2 citation statements)
references
References 3 publications
0
0
0
2
Order By: Relevance
“…Подобный результат был достигнут в работе [12], ав-торы которой в процессе магнетронного распыления ми-шени соответствующего состава получили однофазный конденсат упорядоченного твердого раствора Pd 0.5 Cu 0.5 c примитивной кубической кристаллической решеткой типа CsCl (β-фаза).…”
Section: Pаспределение плотности электронных состо-яний в валентной зunclassified
See 1 more Smart Citation
“…Подобный результат был достигнут в работе [12], ав-торы которой в процессе магнетронного распыления ми-шени соответствующего состава получили однофазный конденсат упорядоченного твердого раствора Pd 0.5 Cu 0.5 c примитивной кубической кристаллической решеткой типа CsCl (β-фаза).…”
Section: Pаспределение плотности электронных состо-яний в валентной зunclassified
“…По оценкам авторов работы [12] температура ненагре-ваемой подложки в процессе роста может повышаться от исходной (около 300 K) на 50−100 K вследствие высокой энергии конденсируемых атомов и воздействия компонентов плазмы. Для того, чтобы проверить стабильность фазы Al 3 Si и возможность формирования в таком пленочном конден-сате нанокристаллов кремния, пленочные образцы, полу-ченные ионно-лучевым напылением, были подвергнуты импульсному фотонному отжигу дозами в интервале от 145 до 215 J/cm 2 .…”
Section: Pаспределение плотности электронных состо-яний в валентной зunclassified