“…По оценкам авторов работы [12] температура ненагре-ваемой подложки в процессе роста может повышаться от исходной (около 300 K) на 50−100 K вследствие высокой энергии конденсируемых атомов и воздействия компонентов плазмы. Для того, чтобы проверить стабильность фазы Al 3 Si и возможность формирования в таком пленочном конден-сате нанокристаллов кремния, пленочные образцы, полу-ченные ионно-лучевым напылением, были подвергнуты импульсному фотонному отжигу дозами в интервале от 145 до 215 J/cm 2 .…”