Formation of the TiN/CoSi2 system by rapid thermal annealing of a Co/Ti/Si structure

Rudakov, V. I.; Gusev, V. N.

doi:10.1134/s1063739708040021

Cited by 4 publications

(2 citation statements)

References 6 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Қазіргі таңда жартылай өткізгіштер технологиясына арналған контакталық қабаттарға қатаң талаптар қойылуда [1,2]. Аса үлкен интегралды схемалардың дамуы (АҮИС), субмикрондық құрылымдардың дизайндарының ықшамдылығымен қатар ықпалдасу дәрежесінің жоғарылығын білдіреді [3,4].…”

Section: кіріспеunclassified

“…Күн элементтерін өндіруде мыс метализациясы мен кремний матрицасы арасына дуффузиялық тосқауылдар жасау мақсатында зерттеушілер вольфрам, аморфты Nі60Nb40, аморфты W-Sі, TіN тәрізді материалдарды зерттеген. Мысалы, [2] -де реактивті жоғары жиілікті ыдырату арқылы алынған Nі60Nb40 (500 нм) аморфты қорытпаларының, тұндырылған поликристалдық алтын және мыс жабындармен (100 нм) және монокристалдық кремний матрицасымен әсерлесуі қарастырылған. Сu/Nі-Nb/Sі жүйесі 600°С деңгейінде 1 сағат аралығында орнықты болғандығы көрсетілген.…”

Section: кіріспеunclassified

See 1 more Smart Citation

Structure and Composition of Titanium Nitride Films Synthesized by Magnetron Sputtering

BOZHBANBAY¹,

SEITOV²

2022

fızıka matematıka ınformatıka serııasy

View full text Add to dashboard Cite

The article defines the conditions for obtaining the necessary composition of TiN films used as a diffusion barrier in solar cells. The conditions for obtaining the required thickness of the titanium nitride film are also determined. It was found by X-ray diffraction that the resulting titanium nitride film has a polycrystalline structure. As a result of a number of experiments, the conditions for obtaining atitanium nitride film with the required thickness of 75 nm and density (composition Ti0.57N0.43) were determined: magnetron power-690 W, pressure of the Ar-N2 mixture-0.54 Pa, nitrogen gas consumption 0.9 l/h, argon gas consumption 0.5 l/h, plate temperature 111 °C, deposition duration -320 s.

show abstract

Section: кіріспеunclassified