Formation of the ohmic contact to the n-layer of gallium nitride using the pre-ionic treatment

Abstract

Формирование омического контакта к n-слою нитрида галлия с использованием предварительной ионной обработки Представлены результаты измерения удельного контактного сопротивления к n-слою нитрида галлия системы металлов Ti/Al/Ni/Au. Исследовано влияние параметров предварительной ионной обработки поверхности, а именно скорость расхода газа и время процесса на значение удельного контактного сопротивления. Впервые получена зависимость удельного контактного сопротивления от температуры отжига после проведения ионной обработки поверхности нитрида галлия. Ключевые слова: светодиод, нитрид галлия, омический контакт, ионная обработка.