2016
DOI: 10.1134/s1028335816070077
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Formation of micro- and nanodomain structures in ferroelectric films by interfering hypersound

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2

Citation Types

0
0
0
2

Year Published

2017
2017
2022
2022

Publication Types

Select...
2
1

Relationship

0
3

Authors

Journals

citations
Cited by 3 publications
(2 citation statements)
references
References 6 publications
0
0
0
2
Order By: Relevance
“…Это позволяет создавать «долгоживущие» температурные решетки, что существенно облегчает формирование микро-и нанодоменных структур в пленках и тонких образцах. При моделировании технологического процесса данное явление необходимо учитывать, так как уменьшая толщину образца до оптимального значения, можно добиться существенного снижения интенсивности интерференционного импульса [27], что делает БИГ-технологию менее энергозатратной. В [50] измерены значения коэффициента температуропроводности χ цирконата-титаната свинца (ЦТС) для шести образцов различной толщины h = 0.4, 2.0, 150, 240, 550, 1000 μm.…”
Section: модель проектирования технологического оборудования для изгоunclassified
See 1 more Smart Citation
“…Это позволяет создавать «долгоживущие» температурные решетки, что существенно облегчает формирование микро-и нанодоменных структур в пленках и тонких образцах. При моделировании технологического процесса данное явление необходимо учитывать, так как уменьшая толщину образца до оптимального значения, можно добиться существенного снижения интенсивности интерференционного импульса [27], что делает БИГ-технологию менее энергозатратной. В [50] измерены значения коэффициента температуропроводности χ цирконата-титаната свинца (ЦТС) для шести образцов различной толщины h = 0.4, 2.0, 150, 240, 550, 1000 μm.…”
Section: модель проектирования технологического оборудования для изгоunclassified
“…Зависимость интенсивности интерференционного импульса I p = P I /S от толщины h образца ЦТС, полученная в [27] с использованием данных [50], изображена на рис. 10 для трех значений пространственного периода РДС d = 0.8; 1.2; 5.0 μm.…”
Section: модель проектирования технологического оборудования для изгоunclassified