Formation and decomposition of hydrogen-related electron traps at hydrogenated Pd/GaAs (n-type) Schottky interfaces

Abstract

We demonstrate a capability for exploring the behavior of hydrogen at a Pd/GaAs (n-type) Schottky interface containing a native oxide. By applying a large forward current to such a hydrogenated interface, a remarkable reduction of the hydrogenation effect was observed. Formation of hydrogen-related electron traps near the interface could be responsible for this reduction of hydrogenation effect. Moreover, evidence was observed for the decomposition of those electron traps when hydrogen was forced to diffuse out from such interfaces.

Influence of terms of fabrication on electrical and photoelectric properties of photocell on base of Schottky barrier contact Pd-n-GaAs

“…Несмотря на эти недостатки арсенида галлия, исследования и разработки как технологии изготовления и свойств арсенида галлия, так и различных приборов на его основе (начатые в начале 60-х годов) продолжаются уже более 50 лет [5 10], включая исследования структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия с различными материалами барьерообразующего контакта [7,8]. Одной из таких структур является структура Pd-n-GaAs c барьером Шоттки, применяемая в сенсорах водорода и содержащая тонкий оксидный слой на границе раздела металлполупроводник [11][12][13][14][15][16]. Возможно, реакции Pd с GaAs на границе раздела металл-полупроводник при повышенных температурах [17 22] явились причинами снижения интереса к контакту полупрозрачная пленка Pd-n-GaAs и фактического отсутствия работ, связанных с исследованиями фотоэлектрических свойств фотоэлементов на основе этого контакта, которым посвящена настоящая работа.…”