Flight development tests and attempted operation of «AIST» small satellites

Kirilin, A. N.; Tkachenko, Sergey I.; Salmin, V. V.; Сёмкин, Н. Д.; Papkov, Alexander P.; Абрашкин, В. И.; Tkachenko, Ivan; Железнов, Ю. Е.; Галаева, Е. Ю.

doi:10.18287/2412-7329-2015-14-4-58-71

Cited by 2 publications

(1 citation statement)

References 1 publication

(2 reference statements)

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Известно, что проблема создания эффективных и дешёвых фотоэлектриче-ских преобразователей (ФЭП) имеет большую важность не только для эколо-гически чистой альтернативной энергети-ки [1], но и при конструировании энерге-тических установок различных аэро-и космических аппаратов [2][3][4]. Одним из возможных материалов при создании но-вых, недорогих и эффективных ФЭП мо-гут стать тонкие плёнки BaSi 2 [5].…”

Section: Introductionunclassified

Solid-phase growth and structure of barium disilicide films on Si (111)

Dubov¹,

Fomin²,

Галкин³

2016

VESTNIK of Samara University. Aerospace and Mechanical Engineer

View full text Add to dashboard Cite

Амурский государственный университет, г. Благовещенск В статье представлены результаты эксперимента по формированию методом твёрдофазной эпи-таксии тонких плёнок дисилицида бария (BaSi 2 ) -перспективного материала для солнечных элементов. Формирование BaSi 2 проводилось в условиях сверхвысокого вакуума на кремниевых подложках по тех-нологии template. На финальной стадии формирования наноструктур проводили рекристаллизацию плё-нок отжигом. Полученные тонкие плёнки исследовали in-situ методами: электронной оже-спектроскопии и спектроскопии характеристических потерь энергии электронами. Далее ex-situ методами: атомно-силовой микроскопии и рентгеновской дифракции. Последний метод показал наличие в плёнке, сформи-рованной при температуре рекристаллизации T = 800 0 С, a-ориентированного дисилицида бария. Для данной плёнки представлены спектры оже-электронов и характеристических потерь энергии электрона-ми. Анализ топологии поверхности полученной наноструктуры методом атомно-силовой микроскопии показал, что её шероховатость сопоставима с шероховатостью образцов тонких плёнок BaSi 2 , сформиро-ванных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Причина незначительного количества сформировав-шихся кристаллитов BaSi 2 -низкая взаимодиффузия атомов бария и кремния при выбранном методе формирования плёнки. Решение данной проблемы представляется в использовании технологии со-осаждения Ba и Si с последующей рекристаллизацией плёнки при температурах, близких к температуре, определённой в данной работе.Тонкие плёнки, нанотехнологии, солнечные ячейки, твёрдофазная эпитаксия, дисилицид бария, кремний.

show abstract

Section: Introductionunclassified