First-principles calculations of structural properties of GaN : V

First-principles prediction of the structural and electronic properties of GaxY1−xN compounds

“…In the cases of 50% of Ga concentration, we have used the wurtzite conventional unit cell. Their space group is P3m1 (1 5 6) with four atomic positions as: 1a (0, 0, 0); 1a (0, 0, u); 1b(1/3, 2/3, 1/2)and 1b (1/3, 2/3, 1/2 + u) in Wyckoff notation [22][23][24]. The geometric arrangements of Ga atoms are summarized in Table 1.…”

Theoretical and analytical study of the phase transition of 1x1-CrN/GaN multilayer

“…In order to determine the most stable crystallization phase at finite pressure and temperature values as well as the possible crystal phase transition caused by pressure, the Gibbs free energy might be used and G E PV TS    . Since the calculations are in ground state (T = 0 ° K), the last term of the Gibbs energy can be neglected; and by working with the enthalpy, Gibbs free energy reduces to equation H = E + PV [11][12][13]. We use this equation for the two crystal structures considered in this work; however, we cannot exclude the possible existence of other stable or metastable structures for GaN/CrN multilayer.…”

Estudio por primeros principios de las propiedades estructurales y electrónicas de la multicapa CrN/GaN

“…Para determinar tanto la fase de cristalización más estable a una presión y temperatura finita, como una posible transición de fase producida por presión, utilizamos la energía libre de Gibb G = E + P V + T S. Adicionalmente, dado que se han reportado transiciones de fase estructural para los nitruros de metales de transición y las transiciones fase de la estructura NaCl −→ wurtzita son independientes de la temperatura [12], se puede despreciar el último término de la energía de Gibb y tomando la entalpía, la energía libre de Gibb se simplifica a: H = E + P V [12], [13], [14]. Usamos esta ecuación para las tres estructuras cristalinas consideradas en este trabajo, sin embargo, no podemos excluir la posible existencia de otras estructuras estables o metaestables para la multicapa 1x1 CrN/GaN.…”