2012
DOI: 10.1080/1536383x.2012.655653
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Field-Induced Electron Emission from Graphitic Nano-Island Films at Silicon Substrates

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
2
1

Citation Types

2
5
0
5

Year Published

2016
2016
2023
2023

Publication Types

Select...
6
1

Relationship

0
7

Authors

Journals

citations
Cited by 15 publications
(12 citation statements)
references
References 10 publications
2
5
0
5
Order By: Relevance
“…10−30 nm, а высота -несколько nm. Измерения, про-веденные с помощью рентгеновского фотоэлектронного спектрометра (ESCA-5400, Perkin Elmer), не выявили присутствия на поверхности иных химических элемен-тов помимо углерода, кремния и кислорода [29]. Приготовленные таким образом образцы островко-вых углеродных пленок можно рассматривать как ти-пичные.…”
Section: объект и методики исследованийunclassified
See 3 more Smart Citations
“…10−30 nm, а высота -несколько nm. Измерения, про-веденные с помощью рентгеновского фотоэлектронного спектрометра (ESCA-5400, Perkin Elmer), не выявили присутствия на поверхности иных химических элемен-тов помимо углерода, кремния и кислорода [29]. Приготовленные таким образом образцы островко-вых углеродных пленок можно рассматривать как ти-пичные.…”
Section: объект и методики исследованийunclassified
“…К примеру, в рабо-те [36] описана технология нанесения таких покрытий в СВЧ-плазме низкого давления. Помимо технологии, применявшейся в данной работе и ранее в [29], нами также были опробованы методы магнетронного распы-ления [31] и химического осаждения, активированного высокочастотным разрядом атмосферного давления [30]. Во всех случаях были получены покрытия со сходными морфологическими и эмиссионными параметрами.…”
Section: объект и методики исследованийunclassified
See 2 more Smart Citations
“…In our previous works [1][2][3], we observed field electron emission with threshold fields as low as 0.4-1.5 V/µm from island films of graphitic carbon deposited on Si wafers. Comprehensive investigations performed with ∼50 samples did not reveal the presence of either high-aspect morphological features or low-work-function spots, which excludes employment of many known emission facilitation mechanisms for explanation of the experimental results.…”
Section: Introduction and Problem Formulationmentioning
confidence: 99%