2012
DOI: 10.1007/s00339-012-6849-y
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Femtosecond laser color marking of metal and semiconductor surfaces

Abstract: Color marking of rough or smooth metal (Al, Cu, Ti) and semiconductor (Si) surfaces was realized via fem-tosecond laser fabrication of periodic surface nanorelief, representing one-dimensional diffraction gratingsyesBelgorod State Universit

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
1

Citation Types

0
29
0
5

Year Published

2015
2015
2024
2024

Publication Types

Select...
7
1

Relationship

0
8

Authors

Journals

citations
Cited by 78 publications
(34 citation statements)
references
References 22 publications
0
29
0
5
Order By: Relevance
“…Известны примеры лазерно-го легирования [6] для повышения твердости и износостойкости стальных деталей. Исполь-зование лазерных технологий в различных областях науки и техники [7] позволяет на качест-венно новом уровне решать технологические проблемы маркировки растровых рисунков [1,8,9], в том числе на прецизионных узлах гироскопических приборов [10], в частности сферическом роторе бескарданного электростатического гироскопа (БЭСГ) [11,12].…”
Section: ключевые слова: ионно-плазменные технологии лазерная маркирunclassified
“…Известны примеры лазерно-го легирования [6] для повышения твердости и износостойкости стальных деталей. Исполь-зование лазерных технологий в различных областях науки и техники [7] позволяет на качест-венно новом уровне решать технологические проблемы маркировки растровых рисунков [1,8,9], в том числе на прецизионных узлах гироскопических приборов [10], в частности сферическом роторе бескарданного электростатического гироскопа (БЭСГ) [11,12].…”
Section: ключевые слова: ионно-плазменные технологии лазерная маркирunclassified
“…На основании результатов работ [23][24][25][26][27][28][33][34][35][36][37][38][39][40][41][42][43] c хо-рошей степенью точности получаем дисперсионное со-отношение для константы распространения q формируе-мого на поверхности плазмон-поляритона [17], e и m e -заряд и масса электрона соответственно; третья среда -собственно облучаемый лазером полупроводник с ди-электрической проницаемостью ε 3 (см. рис.…”
Section: уравнение нелинейной диффузииunclassified
“…Таким образом, в случае генерации индуцированной медаличе-ской пленки на поверхности полупроводника образуется медленный плазмон-поляритон, характеризуемый волно-вым параметром q из (18) и фазовой скоростью ν f . При этом волновое число соответствующего плазмон-поляритона может достигать очень больших значений, значительно превышающих 1/h, и достигать в оптиче-ском диапазоне величин ∼ 10 8 m −1 [38][39][40][41][42][43]. Важно, что в этом случае соответствующее волновое число q ≫ α. Как следствие, диффузионное усиление в широком диа-пазоне значений может обеспечить генерацию и эф-фективное усиление периодической высококонтрастной структуры за время значительно меньшее 1 пикосекунды.…”
Section: уравнение нелинейной диффузииunclassified
“…Введение. Широкое использование лазерных технологий в различных областях науки и техники [1] позволило на качественно новом уровне преодолеть технологические проблемы маркировки растровых рисунков [2][3][4] на прецизионных узлах гироскопических приборов [5], в частности, сферических роторов электростатического гироскопа [6,7], используемого на космических объектах и в морских навигационных системах. Растровый рисунок является основным элементом оптоэлектронной системы съема информации с ротора.…”
unclassified
“…Наиболее важной функциональной характеристикой растрового рисунка была выбрана контрастность, в наибольшей степени определяющая качество растра в целом, а параметром лазерной обра-ботки, определяющим указанную характеристику, -мощность лазерного излучения [2][3][4]. Как известно, контрастность изменяется за счет варьирования при лазерной маркировке структурно-фазового состава поверхности с образованием модифицированного слоя опреде-ленной толщины [9,10].…”
unclassified