Features of SOI substrates heating in MBE growth process obtained by low-coherence tandem interferometry

Сравнение гетероструктур А-=SUP=-III-=/SUP=-В-=SUP=-V-=/SUP=-, выращенных на платформах Ge/Si, Ge/SOI и GaAs

“…Однако температурные режимы эпитаксии слоев Ge/Si на SOI и Si различаются из-за наличия скрытого слоя SiO 2 в SOI. Для метода молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) с использованием режима двухстадийного роста на установке Riber SIVA-21 было обнаружено, что температура на поверхности SOI устанавливается выше на 40−50 • С по сравнению с температурой на поверхности подложки Si при температурах роста слоя HT-Ge (high temperature Ge) 600 • С [10]. Проблема была решена путем применения метода низкокогерентной тандемной интерферометрии, позволяющей с высокой точностью измерять температуру SOI в процессе роста [10].…”

“…Для метода молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) с использованием режима двухстадийного роста на установке Riber SIVA-21 было обнаружено, что температура на поверхности SOI устанавливается выше на 40−50 • С по сравнению с температурой на поверхности подложки Si при температурах роста слоя HT-Ge (high temperature Ge) 600 • С [10]. Проблема была решена путем применения метода низкокогерентной тандемной интерферометрии, позволяющей с высокой точностью измерять температуру SOI в процессе роста [10]. В методе газофазного осаждения с разложением моногермана на " горячей проволоке" (HWCVD, hot-wire chemical vapor deposition) трудности, связанные с SiO 2 , на данный момент не были устранены [11].…”

Experimental study of heat transfer in thin-film perovskite-based structures using a low-coherent tandem interferometry

“…are also unsuitable for solving this problem due to the measurement of the temperature of the sensor itself instead of the specific working area of the sample. Therefore, it is more correct to use non-contact optical methods, among which low-coherence tandem interferometry with nanometer resolution provides the most adequate temperature estimation in multilayer thin-film structures even under extreme conditions [8].…”

“…1), developed at the Institute for Physics of Microstructures RAS, the change in the real temperature of the samples under continuous exposure to simulated solar radiation of various duration and intensity was analyzed. Detailed description of the temperature measurement methodology can be found in the work [8] and references therein. Numerical simulation of heat transfer processes in the thin-film structure was performed under certain boundary conditions: ambient temperature, incident radiation power, thickness and material of substrate.…”

Экспериментальное Исследование Процессов Теплопереноса В Тонкопленочных Структурах На Основе Перовскитов Методом Низкокогерентной Тандемной Интерферометрии

“…также непригодны для решения этой задачи в связи с измерением температуры самого датчика вместо конкретной рабочей области образца. Поэтому правильнее использовать бесконтактные оптические методы, среди которых низкокогерентная тандемная интерферометрия с нанометровым разрешением обеспечивает наиболее адекватную оценку температуры в многослойных тонкопленочных структурах даже в экстремальных условиях [8].…”