Farklı Metal/n-Si Kontakların Sayısal Olarak Modellenmesi ve Simülasyonu

Abstract

Bu çalışmada, Al, Mo, Cu ve Ag metalleri ile n-tipi Si yarıiletkeni kullanılarak farklı metal/yarıiletken kontak yapısı modellenmiştir. Kontakların 0-0.25 V aralığında ileri beslem yarı logaritmik akım-gerilim karakteristiği termiyonik emisyon teorisi kullanılarak elde edilmiştir. Kontak modellerin metalin iş fonksiyonuna bağlı olarak engel yükseklikleri ve idealite faktörleri hesaplanmıştır. En düşük engel yüksekliği 0.64 eV olarak Al/n-Si model kontak için, en büyük engel yüksekliği ise 0.82 eV olarak Ag/n-Si model kontak için hesaplanmıştır. Kontak modelleri ayrı hacimsel hücrelere bölünerek bir ağ oluşturma işlemi gerçekleştirilmiştir. Böylece akım iletimi sırasında, kontak geometrisi boyunca, yüzeyin elektron konsantrasyonu, hol konsantrasyonu ve elektriksel potansiyel değişimleri modellenerek farklı parametrelerin etkileri simule edilerek kontağın üzerindeki değişimleri incelenmiştir.

Programming the Measurement System by using VEE Pro to Determine Cyclic I-V Characteristics: Resistive Switching Device Application

“…However, in order to do this, the researcher needs to know programming languages such as C+, XML and/or Phyton [2,[5][6][7]. However, some manufacturers also offer the main software packages to the users in order to allow more flexible use of their devices [8]. Programs, such as VEE Pro and LabView, allow users to make appropriate measurements and calculations without the need to know any programming language [9][10][11].…”