2007
DOI: 10.1016/j.jallcom.2006.06.066
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Far infrared properties of PbTe doped with cerium

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
2
1

Citation Types

0
3
0
2

Year Published

2008
2008
2019
2019

Publication Types

Select...
5

Relationship

1
4

Authors

Journals

citations
Cited by 6 publications
(5 citation statements)
references
References 18 publications
0
3
0
2
Order By: Relevance
“…Now the question could arise why does one observe two local modes of Yb in PbTe. There is some literature data for PbTe doped with another rare-earth element-samarium [7] which also has two electrons in 5s and 6s shells and six electrons in the 5p shell. But Yb has the maximum number of electrons-fourteen in the 4f shell while Sm has only six electrons.…”
Section: Experimetal Results and Discussionmentioning
confidence: 99%
“…Now the question could arise why does one observe two local modes of Yb in PbTe. There is some literature data for PbTe doped with another rare-earth element-samarium [7] which also has two electrons in 5s and 6s shells and six electrons in the 5p shell. But Yb has the maximum number of electrons-fourteen in the 4f shell while Sm has only six electrons.…”
Section: Experimetal Results and Discussionmentioning
confidence: 99%
“…Рідкісноземельні метали (РЗМ) як домішки в кристалах IV-VI привертають до себе велику увагу [6][7][8][9][10][11][12][13][14][15][16][17][18][19][20][21][22]. Основним чином це зумовлено їх впливом на дефектну підсистему кристалів і можливістю варіювати концентрацію носіїв в широких межах.…”
Section: точкові дефекти і зарядовий стан домішок у легованих рідкіснunclassified
“…Не зважаючи на достатньо велику кількість робіт, в яких досліджувалися магнітні [6][7][8][9][10][11], оптичні [12][13][14], механічні [15] та транспортні властивості легованих рідкісноземельними металами сполук IV-VI [13,16], а також вплив домішки на термоелектричні параметри та концентрацію носіїв базової сполуки [12,[17][18][19][20][21][22] [23,24]. У зв'язку із цим з боку PbTe існує достатньо широка область гомогенності для легованих РЗМ кристалів PbTe, яка сягає до 5 ат.…”
Section: точкові дефекти і зарядовий стан домішок у легованих рідкіснunclassified
“…These semiconductors grow with strong deviations of stoichiometry, and their defects including vacancies are electrically active. Their free carrier concentration is high, usually above 10 18 cm -3 and it can be decreased when doping with group III [1,2] or rare earth elements [3,4]. PbTe doping with In, Ga, or B results in fermi level pinning and also the effect of persistent photoconductivity.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…PbTe doping with In, Ga, or B results in fermi level pinning and also the effect of persistent photoconductivity. When PbTe was doped with ytterbium, the giant negative magnetoresistance effect was observed [4].…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%