and Laboratorio MAXPEC, C.N.R., P a r m ( b ) CdTe-CdS heterojunctions are prepared by growing epitaxial layers of CdTe on the basal plane of C d s single crystals. A closed-tube chemical transport technique is used, with hydrochloric acid as transporting agent. Current-voltage characteristics a t different temperatures, capacitancevoltage and capacitance-frequency curves are investigated for various Au-CdTe-CdS-In structures. The experimental results indicate that the electrical characteristics of these junctions are strongly dependent on the deposition face, (0001) or (OOOI), of the substrate; they can be explained by a recombination-tunneling mechanism via interface states.Des heterojunctions CdTe-CdS ont Bt6 rkalis6es, croissant des couches Bpitaxiques de CdTe sur la couche basale des monocristaux de CdS. On a utilize la technique du transport chimique dans le tube ferm6, employant I'acide hydrochlorique comme agent transporteur. Les caracteristiques cournat-voltage a temperatures diffbrentes, les courbes capacit&voltage e t capacitb-frkquence ont BtB Btudihes pour plusieurs structures Au-CdTe-CdS-In. Les resultats expkrimentals demontrent que les caractkristiques electriques de la jonction sont fortement dependants de la face (0001) ou (0001) de la souscouche; elle sont expliqubes on moyen de un mecanism de recombinasion-tunneling par des Btats de interface.