Fabrication and ultraviolet photoemission characteristics of novel Au photocathodes

Recent Progress in Research on CsI Thin Film Photocathodes

“…2) 发展微结构的基底, 提高 QE 和稳定性。虽然 早在 1994 年 Lu 等 [64] 就从理论上预言了楔形微结构基 底可以增加 CsI 薄膜光阴极的 QE, 但人们对微结构基 底研究的实际步伐才刚刚开始。随着光刻技术与纳米 技术的飞速发展,以及某些潜在基底材料表面微纳修 饰与改性研究的不断深入 [65] , 可以预测, 采用微结构 基底的 CsI 光阴极将在辐射探测领域大有作为。 3) 利用 CsI 薄膜的自组装性质, 通过纳米尺寸效 应和表面效应改进电子传输及光电发射性质。 2011 年, Fedorov 等 [66] 首次在 LiF 基底上观察到了 CsI 薄膜的 固态去润湿现象, 展现了其在纳米改性方面的诱人发 展前景 [67] 。目前, 对 CsI 薄膜自组装的研究才刚刚起 步 [68] , 而与 CsI 结构类似的 CsCl 薄膜与 Au 阴极薄膜 的自组装特性引起了研究者广泛关注 [69][70] 。 4) 与其它材料组合, 改变某一波段的 QE 或实 现某些波段的带通选能。在激光等离子体研究中, 某些诊断设备的光阴极已通过多材料组合和改变占 空比等方式实现了带通选能 [71] , 而这也可能成为 CsI 薄膜光阴极研究的一个重要方向。 参考文献:…”