2022
DOI: 10.1103/physreva.106.062617
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Experimental realization of a multiqubit quantum memory in a 218-ion chain

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“…受限于离子阱所能提供的最大径向约 束电场强度, 为了将更多的离子维持在一维构型, 需要降低轴向的约束电场, 而这将使离子的轴向运 动更易受到环境电磁噪声的影响, 最终限制所能稳 定约束的离子数 [11] . 目前, 室温离子阱系统通常只 能稳定约束数十个离子的一维阵列, 而进一步降低 环境温度、提高系统真空度的低温离子阱系统, 通 常也只能稳定约束100 -200个离子的一维阵列 [12,13] .…”
Section: 为了获得可独立操控的多个量子比特 主流的unclassified
“…受限于离子阱所能提供的最大径向约 束电场强度, 为了将更多的离子维持在一维构型, 需要降低轴向的约束电场, 而这将使离子的轴向运 动更易受到环境电磁噪声的影响, 最终限制所能稳 定约束的离子数 [11] . 目前, 室温离子阱系统通常只 能稳定约束数十个离子的一维阵列, 而进一步降低 环境温度、提高系统真空度的低温离子阱系统, 通 常也只能稳定约束100 -200个离子的一维阵列 [12,13] .…”
Section: 为了获得可独立操控的多个量子比特 主流的unclassified