Excitons in CdTe/ZnTe heterostructure with atomically thin CdTe layers

Abstract

Heterostructures with atomically thin double quantum wells based on CdTe/ZnTe are investigated by optical spectroscopy (photoluminescence and reflectivity methods) as a function of temperature and density of excitation. Heavy and light exciton luminescence lines are observed with comparable intensities and different temperature behaviors (they cross each other at about 65° K). All these features agree with a complete calculation that takes into account both a very small chemical band offset for such monolayer CdTe inclusions in the ZnTe matrix (namely, 2%), and, consequently, the importance of Coulombic interaction in these double quantum wells.

Manifestation of interface anisotropy in CdTe quantum wells

“…This value is divided between the conduction band (∆ c ) and the valence band (∆ ν ), ∆ = ∆ c + ∆ ν . In this work, we assume ∆ c = 0.97∆ and ∆ ν = 0.03∆ [18]. Since the buffer layer and barrier layers are much thicker than the quantum well layer, we can assume that these layers are not stressed and all mechanical stresses are concentrated in the well.…”

Экситонная люминесценция двойных монослоев CdTe в матрице ZnTe

“…Гетероструктуры на основе халькогенидов кадмия и цинка применяются в преобразователях солнечной энергии в электрическую [1][2][3][4][5] и в лазерных устройствах, работающих в зеленой и синей областях спектра [6]. Гетероструктуры на основе полупроводников II−VI, как правило, являются напряженными, влияние напряжений на высоту барьеров в дырочных квантовых ямах (КЯ) оказывается на порядок более сильным по сравнению с химическим сдвигом [7]. В связи с большой разницей постоянных решетки в парах CdSe/ZnSe и CdTe/ZnTe, реальная структура КЯ CdSe и CdTe существенно зависит от их толщины и технологии роста слоев (атомное наслаивание или молекулярная пучковая эпитаксия).…”