Conference on Lasers and Electro-Optics/International Quantum Electronics Conference and Photonic Applications Systems Technolo 2004
DOI: 10.1364/iqec.2004.iwc1
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Exciton dephasing in quantum dot molecules

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“…is the decoherence rate associated to spontaneous decay from the optical excited state |j to exciton vacuum |v ≡ |X 00 00 , while γ describes pure dephasing in each excitonic level |j . We use the effective rates given by Γ D(I) = Γ 0 D(I) /2 + γ D(I) and Γ I = 10 −3 Γ D , where Γ D = 10µeV 16,29 .…”
Section: D(i)mentioning
confidence: 99%
“…is the decoherence rate associated to spontaneous decay from the optical excited state |j to exciton vacuum |v ≡ |X 00 00 , while γ describes pure dephasing in each excitonic level |j . We use the effective rates given by Γ D(I) = Γ 0 D(I) /2 + γ D(I) and Γ I = 10 −3 Γ D , where Γ D = 10µeV 16,29 .…”
Section: D(i)mentioning
confidence: 99%
“…Oscilações de Rabi entre dois níveis, condição necessária para a definição de um qubit, têm sido reportadas neste tipo de sistema (STIEVATER, 2001;BORRI, 2002). O processo de decoerência, fenômeno responsável pela destruição dos estados quânticos de superposição, tem sido bastante explorado em pontos quânticos (JACAK, 2005;VILLAS-BOAS, 2005;BORRI, 2003).…”
Section: 1unclassified
“…No regime de baixas temperaturas, a interação entre éxcitons e fônons em pontos quânticos não é dominante, assim o processo de dephasing é causado principalmente pela recombinação radiativa do par elétron-buraco (TAKAGAHARA, 2003). Porém no contexto de moléculas de pontos quânticos, Borri et al demonstraram que o acoplamento entre os portadores confinados em pontos quânticos adjacentes influencia o tempo de coerência do éxciton, que podem ser descritos como processos de dephasing puro (BORRI et al, 2003). Especificadamente, em pontos quânticos auto-formados do tipo III-V no qual estamos interessados, estados excitônicos apresentam um tempo de recombinação radiativo de aproximadamente 1.0 ns (VILLAS-BOÂS; ULLOA; GOVOROV, 2007).…”
Section: Decoerênciaunclassified
“…Porém, é importante ressaltar que nossas considerações podem ser eficientemente aplicadas para pontos quânticos duplos feitas por outros materiais semicondutores. Neste sistema, a taxa de decaimento efetivo Γ i = Γ i 0 /2+ γ i , é da ordem de 2 − 10 µeV (BORRI et al, 2003;BARDOT et al, 2005) para estados de éxcitons diretos, e três ordem de magnitude menores para éxcitons indiretos (Γ 2,3 = 10 −3 Γ 1,4 ) (BUTOV et al, 1994). Os parâmetros associados à estrutura da molécula e energia dos estados excitônicos foram baseados nos experimentos realizados e investigados na referência (ROLON; ULLOA, 2010).…”
Section: Sistema Físico E Modelounclassified
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