Estudo dos MOSFETs com estilo de leiaute do tipo elipsoidal

Estudo do tipo octo em ambientes de radiações ionizantes de raios-x

“…A abordagem por RHBD, engloba o uso de novas geometrias de porta para os MOSFETs. Estudos anteriores como "Estudo do comportamento elétrico de estruturas MOSFETs não convencionais e do MOSFET diamante em ambientes radioativos" (Alati, 2012), "Implementação dos leiautes e estudo comparativo experimental entre MOSFETs planares de potência com diferentes estilos de leiaute" (Souza, 2016), "Efeitos das radiações ionizantes de raios-x no SOI MOSFET de geometria de porta octogonal" (Fino, 2017) e "Estudo dos MOSFETs com estilo de leiaute do tipo elipsoidal" (Correia, 2016) (Fino, 2017).…”