Estudo dos estados eletrônicos em sistemas quase-unidimensionais.

Abstract

4.5 Perfil do potencial da heteroestrutura de Ah_:z;Ga:z;AsjGaAs, em urn corte transversal paralelo a direQao de crescimento da amostra. (a) Aqui mostramos a heteroestrutura com a estrutura de gate, e em (b) mostramos 0 perfil do potencial em uma regiao sob 0 gate e em urna sem 0 gate. 63 4.6 Visao do topo do dispositivo utilizado por Okada et al [4] para investigar a transiQao de urn gas de eletrons quase-2D para urn quase-1D.. .. .. .. 65 4.7 SeQao transversal do dispositivo investigado por Okada et al.. .. .. . .. 65 4.8 Thancondutancia versus voltagem aplicada ao gate. Resultado experimental obtido por Okada et al.