Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado.

Abstract

Agradeço a Deus, acima de tudo, por permitir-me concluir este trabalho. Por proporcionar discernimento e força.Ao meu coorientador e amigo Alberto Vinicius de Oliveira, sua paciência, dedicação, orientação e total profissionalismo. Aos professores, Dr. João Antonio Martino e Dra. Paula Ghedini Der Agopian, pela orientação contínua, colaboração, ensinamentos, paciência e todo suporte durante o desenvolvimento deste trabalho. A vocês, minha eterna gratidão.Aos meus pais, Maria Vieira Antonio e Mario Nunes Gonçalves, que sempre me apoiaram, auxiliaram com todas as suas forças para que eu atingisse meus objetivos.A vocês, meu agradecimento pelos ensinamentos dedicados à vida e que não constam em livro ou lugar nenhum. Obrigado por tudo.Ao meu querido irmão Rodrigo Vieira Gonçalves, engenheiro e colega de profissão, por toda a sua parceria e presença em todos os momentos. À Ingrid Simões Tremper, minha amada esposa. Pela paciência referente a minha ausência em tantas noites e momentos para que este trabalho pudesse ser concluído. Pelo seu amor e dedicação a mim.Às agências de fomento, CAPES e CNPq, pelos apoios financeiros prestados tanto no Brasil quanto no exterior.A todos os colegas e professores do grupo SOI, pela amizade, auxílio, discussões técnicas e por sempre estarem dispostos a ajudar.A todos do grupo do Imec-Bélgica que contribuíram de alguma forma à realização do trabalho e que, porventura, tenham sidos omitidos. RESUMOGONÇALVES, Guilherme Vieira. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. 2020. Dissertação (Mestrado em Ciências) -