Estudo da fotoeletrodeposição de partículas de cobre sobre filmes de diamante dopado com boro

Abstract

ResumoA fotoeletrodeposição de partículas de cobre sobre filmes de diamante dopado com boro (DDB) com diferentes níveis de dopagem foi investigada. Ênfases foram dadas no estudo da influência do nível de dopagem dos filmes e na eletrodeposição fotoassistida de cobre utilizando soluções com diferentes pHs (ácido e neutro). Os filmes crescidos foram caracterizados por espectroscopia Raman e a concentração de portadores foi estimada por medidas de Mott-Schottky Plot. Os resultados mostraram que a deposição de partículas de Cu sobre os filmes de DDB apresentou maior homogeneidade nos filmes com maior dopagem (B/C = 30000 ppm) quando comparados aos filmes de menor dopagem (B/C = 5000 ppm). Essa diferença na homogeneidade pode ser atribuída à melhor condutividade do eletrodo mais dopado devido à maior quantidade de boro presente neste filme, potencializando o processo de redução do cobre. Com relação ao meio eletrolítico (ácido, neutro) utilizado nas deposições fotoassistidas, foi observado, em meio neutro, uma melhor eficiência na deposição de Cu. Abstract Copper photoelectrodeposition on boron-doped diamond (BDD) films with different doping levels was investigated. Emphases were given to study the influence of the doping level of the films and of the Cu photoassisted electrodeposition processes using solutions with different pHs (acid and neutral). The films were characterized by Raman spectroscopy and the acceptor densities were estimated by Mott-Schottky Plot. The results showed that the Cu deposits presented more homogeneity for highly doped BDD electrode (B/C = 30000 ppm) when compared to the slightly doped BDD electrode (B/C = 5000 ppm). This difference in the uniformity