Energy spectrum and quantum magnetotransport in type-II heterojunctions

Electron mobility and effective mass in composite InGaAs quantum wells with InAs and GaAs nanoinserts

“…In accordance with the data most frequently encountered in publications, we used the following values for the effective masses at the bottom of the conduction band in the Γ valley: = 0.03m 0 for InAs [22], = 0.043m 0 for In 0.53 Ga 0.47 As, = 0.067m 0 for GaAs, and = 0.075m 0 for InAlAs [23,24]. The discontinuities of the bottom of the conduction bands were taken to be ΔE c = -0.7 eV for the InGaAs/InAlAs interface and ΔE c = -0.45 and -0.3 eV for the InGaAs/InAs and InGaAs/GaAs interfaces, respectively [25,26].…”

Вертикальный транспорт в гетеропереходах II типа с композитными квантовыми ямами InAs/GaSb/AlSb в сильном магнитном поле

“…1, был рассчитан в рамках трехзонной модели Кейна с учетом непараболичности [17]. Для КЯ InAs (шириной 12.5 нм) энергия первых двух уровней размерного квантова-ния (при нулевом продольном квазиимпульсе k = 0), отсчитанная от середины нанослоя InAs, при эффек-тивной массе электронов на дне зоны проводимости m e = 0.023m 0 соответствует значениям E e1 = 46 мэВ, E e2 = 156 мэВ.…”

“…В рассматриваемом нами случае задача усложняет-ся пересечением спиновых состояний первых уровней Ландау для 2D электронов и 2D дырок размерно-квантованных подзон ККЯ в условиях квантового эффек-та Холла с учетом гибридизации состояний электронов и легких дырок на интерфейсе, а также пограничных уров-ней в спектрах электронов и тяжелых дырок [17]. При этом для туннельного сканирования сложного спектра кондактанса через состояния ККЯ в качестве эмиттера может быть использован наинизший спиновый уровень Ландау N = 0 + в спектре электронов подложки с пол-ностью поляризованными по спину 3D электронами в квантовом пределе.…”

“…Ранее мы исследовали магнетотранспорт и вертикаль-ный транспорт в сильных магнитных полях и при низких температурах (T = 1.5−4.2 K) в объемных гетерострук-турах II типа p(n)-GaInAsSb/ p-InAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии с самосогласованными квантовыми ямами и электронным каналом с высокой подвижностью ( 10 5 см 2 /В · с) на интерфейсе твердого раствора и p-InAs [12][13][14][15][16][17]. В сильных магнитных полях (B > 12 Тл) наблюдались квантование вертикального кондактанса в условиях квантового эффекта Холла для планарной проводимости (магнитное поле в плоскости структуры, B S), гибридизация электронно-дырочных состояний при приложении напряжения смеще-ния [15,16] и обнаружен переход от полуметаллической системы в диэлектрическое состояние в магнитном поле B ≥ 12 Tл при расположении уровня Ферми между пер-выми уровнями Ландау для двумерных (2D) электронов.…”

“…В сильных магнитных полях (B > 12 Тл) наблюдались квантование вертикального кондактанса в условиях квантового эффекта Холла для планарной проводимости (магнитное поле в плоскости структуры, B S), гибридизация электронно-дырочных состояний при приложении напряжения смеще-ния [15,16] и обнаружен переход от полуметаллической системы в диэлектрическое состояние в магнитном поле B ≥ 12 Tл при расположении уровня Ферми между пер-выми уровнями Ландау для двумерных (2D) электронов. При этом вольт-амперная характеристика имела ступен-чатый характер в зависимости от напряжения смещения со ступеньками квантового кондактанса ∼ 2e 2 /h [17]. Вертикальный транспорт и процессы резонансного и нерезонансного туннелирования носителей исследо-вались в одноямных гетероструктурах InAs/GaSb/InAs и GaSb/InAs/GaSb [18][19][20][21][22].…”