Electronic structure and phase composition of silicon oxide in the metal-containing composite layers of a [(Co40Fe40B20)34(SiO2)66/C]46 multilayer amorphous nanostructure with carbon interlayers

Investigation of the Magnetic Properties of Amorphous Multilayer Nanostructures [(CoFeB)60C40/SiO2]200 and [(CoFeB)34(SiO2)66/C]46 by the Transversal Kerr Effect

“…В табл. 1 приведены толщины (в нанометрах) бислоев, равные сумме толщин металлокомпозитных слоев и прослоек, номинальные (рассчитанные из геометрии и скорости напыления) и экспериментальные (по данным рефлектометрии [7,8]) для образцов МНС, полученных ионно-лучевым распылением, в которых исследовались магнитооптические свойства. Исследуемые образцы имели номера в соответствии с увеличением толщин бислоев и общих толщин: Это происходит потому, что преобладающие взаимодействия металлических кластеров с диэлектрической матрицей SiO 2-х существенно уменьшает их размер и координационные числа, и, в конечном счете, определяют характер и знак спектральных зависимостей ЭЭК.…”

“…В наших предыдущих работах для исследования атомного строения аморфных многослойных наноструктур (МНС) [(CoFeB) 60 C 40 /SiO 2 ] 200 и [(CoFeB) 34 (SiO 2 ) 66 /C] 46 с разным числом бислоев, разным содержанием металлической, диэлектрической SiO 2 и углеродной компонент и инверсным расположением двух последних в металлокомпозитных слоях или в прослойках мы использовали неразрушающие методы анализа интерфейсов, ближнего порядка и электронной структуры [6][7][8][9]. Среди них рентгеновская дифрактометрия XRD, рентгеновская рефлектоме-трия XRR, ультрамягкая рентгеновская эмиссионная спектроскопия USXES, рентгеновское поглощение вблизи главного края XANES, и тонкая структура за краем поглощения EXAFS [6][7][8][9].…”