Electroluminescence from nanostructured silicon embedded in anodic alumina

Lazarouk, S. K.; Sasinovich, D. A.; Katsuba, P. S.; Лабунов, В. А.; Leshok, A. A.; Борисенко, В. Е.

doi:10.1134/s1063782607090163

Cited by 12 publications

(4 citation statements)

References 4 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…17 Moreover, the anodic alumina with low porosity is an effective surface passivating material for semiconductor diodes fabricated in silicon. 18,19…”

Section: Discussionmentioning

confidence: 99%

Tubular alumina formed by anodization in the meniscal region

Lazarouk

Sasinovich

Борисенко

et al. 2010

Journal of Applied Physics

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

A method to fabricate tubular nanoporous alumina layers by anodization of aluminum at current densities up to 1400 mA/ cm 2 and anodization rates up to 70 m / min has been developed. It implies anodization in the meniscal region of the sample dipping into an electrolyte. The formed porous alumina has been found to be selforganized nanotube cells when the anodization current excides 100 mA/ cm 2. The formation of nanotubes is supposed to be controlled by the increased volume expansion factor ͑more than 2͒ at high forming current densities. The meniscal anodization allows fabrication of porous alumina nanotubes with desired tilt angles in the range of 0°-16°.

show abstract

“…17 Moreover, the anodic alumina with low porosity is an effective surface passivating material for semiconductor diodes fabricated in silicon. 18,19…”

Section: Discussionmentioning

confidence: 99%

Tubular alumina formed by anodization in the meniscal region

Lazarouk

Sasinovich

Борисенко

et al. 2010

Journal of Applied Physics

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Экспериментальные образцы лавинных светодиодов на основе наноструктурированного кремния создавали по технологии, описанной в [7,25]. Подложки монокристаллического кремния диаметром 100 мм, легированные фосфором, с удельным сопротивлением 0,2-0,4 Ом см использовались в качестве исходного материала.…”

Section: экспериментunclassified

“…Далее осажденные пленки подвергали локальной анодной обработке в 0,4-4 М водном растворе ортофосфорной кислоты через заранее сформированные на их поверхности маски из фоторезиста. Разные скорости анодирования алюминия и кремния обеспечивали формирование наноструктурированного кремния, встроенного в алюмооксидную матрицу [25]. Защищенные маской, непроанодированные области образовывали металлические электроды светодиодных структур.…”

Section: экспериментunclassified

“…Конструктивно она состоит из двух контактов Шоттки, а также из слоя анодного оксида алюминия, разделяющего алюминиевые электроды. Слой анодного оксида алюминия содержит кремниевые наночастицы, излучающие свет в режиме лавинного пробоя контакта Шоттки (LED) [25]. Эти же контакты Шоттки при обратном смещении до напряжения пробоя, соответствующего 12 В, чувствительны к наружному световому сигналу, поэтому способны функционировать как фотодиоды (PD).…”

Section: экспериментunclassified

See 1 more Smart Citation

Avalanche leds based on nanostructured silicon for optical interconnections

Ви

Leshok

Долбик

et al. 2020

Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, (г. Минск, Республика Беларусь) Поступила в редакцию 17 марта 2020 © Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 2020 Аннотация. В работе проведен анализ параметров кремниевых лавинных светодиодов и их использования для электронно-оптических систем передачи сигналов. Показаны преимущества данных приборов, среди которых следует выделить высокое быстродействие и совместимость с кремниевой технологией. Изготовлены экспериментальные образцы лавинных светодиодов на основе наноструктурированного кремния и исследованы их структурные и оптические характеристики. Представлены результаты управления спектром электролюминесценции лавинных светодиодов за счет выбора технологических режимов формирования наноструктурированного кремния. Установлено, что температура подложки в процессе осаждения поверхностной нанокомпозитной пленки алюминий + кремний влияет на размеры формирующихся кремниевых наночастиц, определяющих спектральные характеристики лавинных светодиодов. Это позволяет смещать максимум спектра их излучения в более коротковолновую область видимого диапазона за счет формирования кремниевых наночастиц меньших размеров. Разработана система оптических межсоединений, состоящая из лавинных светодиодов на основе наноструктурированного кремния и микроканальной кремниевой пластины, используемой для передачи светового сигнала. Проведено исследование различных режимов функционирования разработанной оптоэлектронной системы и достигнуто увеличение эффективности оптопары на основе лавинных светодиодов до 0,2 % за счет импульсного режима функционирования. Показано, что эффективность оптопары увеличивается при увеличении тока светодиода, и именно импульсный режим его работы характеризуется максимальным значением тока, что обусловлено более эффективным отводом джоулевого тепла в промежутках между импульсами, обеспечивающим стабильную работу всей системы. Полученные результаты открывают новые возможности для развития оптических межсоединений между кремниевыми чипами и кремниевой оптоэлектроники в целом. Ключевые слова: лавинные светодиоды, наноструктурированный кремний, электролюминесценция, оптопара, оптические межсоединения. Конфликт интересов. Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов.

show abstract