Electrical properties of n-CdSnP2

Abstract

For undoped n-type CdSnP, single crystals the Hall coefficient and the electrical conductivity in the temperature region from 24 up to 900 K are measured. A t high temperatures intrinsic conduction exists; a t low temperatures two donor levels are found. The density of states effective mass of the conduction band is determined to 0 . 0 3 5~~~. The highest electron mobilities a t room temperature are about 1500 cme/Vs. The mobility is limited a t low temperatures by scattering on ionized and neutral impurities.An undotierten n-leitenden CdSnP,-Einkristallen werden im Temperaturbereich von 24 bis 900 H der Halleffelit und die elektrische Leitfahigkeit gemessen. Bei hohen Temperaturen wird Eigenleitung festgestellt, bei tiefen Temperaturen zwei verschiedene Donatorniveans. Eine effektive Zustandsdichtemasse der Elektronen im Leitungsband von 0,035m0 wird bestimmt. Bei Zimmertemperatur liegen die hochsten Elektronenbeweglichkeiten bei 1500 cm2/Vs. Bei tiefen Temperaturen wird die Beweglichkeit maagebend durch Streuung an ionisierten und neutralen Storstellen beeinflul3t.

First Order Raman Scattering in CdSnP2

“…Its electrical and optical properties have been investigated intensively ([6], [7] and references therein), but on the phonon spectrum only few data are know up to now.…”