Optical absorption due to impurities WM investigated in homogeneous GaP crystals at room temperature. The transmission of light through the crystal is influenced by a simultaneous additional illumination of light with different wavelength. This light changes the occupancy of an impurity level. A simple theory is presented, which relates this change in transmission of light to the absorption coefficient due to an impurity and also to the optical cross sections of the impurity level involved. The curves for the transmission change were compared with photocurrent quenching spectra measured on the same sample. The absorption coefficient was meaeured directly in the range 0.5 to 2.3 eV. The relative change in transmission was large in some samples (up to lo%), but had such a slow relaxation, that steady light had to be used. Absorption edges at 0.64, 0.70, 0.8, and 0.9 eV were found and their origins are discussed. The properties of some of the absorptions were found to be consistent with those expected from an acceptor impurity state with a dn electron conf iguration.Optische Absorption von Defekten in homogenen Gap-Kristallen wurde bei Raumtemperatur untersucht. Die Transmission von Licht durch den Kristall wird durch eine zusiitzliche, gleichzeitige Belichtung mit Licht unterschiedlicher Wellenliinge beeinfluSt. Dieses Licht andert die Besetzung ekes Defektniveaus. Eine einfache Theorie wird dargelegt, die diese b d e r u n g in der Transmission des Lichts mit dem Absorptionskoeffizienten des Defekts und mit den optischen Wfrkungsquerschnitten des beteiligten Defektniveaus verknupft. Die Kurven der Transmissionsiinderungen wurden mit den Photostrom-Tilgungsspektren verglichen, die an denselben Proben gemessen wurden. Der Absorptionskoeffizient wurde direkt im Bereich 0,5 bis 2,3 eV gemessen. Die relative Transmissionsiinderung war groS in einigen F'roben (bis eu lo%), hatte jedoch solch eine niedrige Relaxation, da5 Gleichlicht benutzt werden mu0te. Absorptionskanten bei 0,64; 0,70; 0,80 und 0,90 eV wurden gefunden und ihr Ursprung diskutiert. Es wurde gefunden, daS die Eigenschaften einiger dieser Absorptionen mit denen iibereinstimmen, die fur einen Akzeptordefektzustand rnit einer d"-Konfiguration erwartet werden.