Electrical and optical properties of (PPh4)2[Fe(CN)5NO] non-crystalline thin films prepared with the vacuum thermal evaporation technique

Sánchez-Vergara, María Elena; González-Aranzábal, S.A.; Sauceda-Arriaga, M.A.; Ortíz, A.; Álvarez, Jorge; Garcı́a-Montalvo, Verónica

doi:10.1016/j.jnoncrysol.2009.11.017

Cited by 1 publication

(2 citation statements)

References 14 publications

(47 reference statements)

Supporting

Mentioning

Contrasting

Order By: Relevance

“…Therefore, it is found as diffusion potential (Vd=0.481 V). The barrier height was found (Φb0=0.816 eV) using Equations ( 11) and (12). In the dark, the barrier height determined by C-V measurements is greater than the barrier height determined by I-V observations (Φb0=0.81 eV).…”

Section: 𝐹(𝑉mentioning

confidence: 99%

“…Because it is known that the oxidation states of transition metals can be greatly altered by enhancing the electron transfer processes, research on molecular electronics involving transition metal complexes has generated a lot of interest [11]. The chemistry of organometallic complexes, which are used as valuable interlayers in charge transfer processes in metal-semiconductor (MS) diodes, is very important [12]. These characteristics have influenced the creation of various ruthenium (II) complex applications (e.g.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

See 1 more Smart Citation

Al/Organometalik Kompleks/p-Si Yapısının Elektriksel Özelliklerinin İncelenmesi

Doğan

2022

EJOSAT

View full text Add to dashboard Cite

Organometalik kompleksi (OMcomplex) arayüzey tabakası olarak p-Si üzerinde ince bir film olarak biriktirmek için döndürmeli kaplama kullanıldı. Al/OMcomplex/p-Si Schottky diyot yapısı gerekli işlemlerden sonra oda sıcaklığında elde edilmiştir. Arayüz katmanlı Schottky diyotun Akım-Gerilim (I-V) ve Kapasitans-Gerilim (C-V) ölçümleri diyotun karakteristik parametrelerini hesaplamak için kullanıldı. I-V okumalarından bariyer yüksekliği (Φb0) ve idealite faktörü (n) hesaplandı ve sonuçlar sırasıyla 0.797 eV ve 1.615 oldu. Seri direnç (Rs), Cheung ve Norde fonksiyonları ile bulunarak karşılaştırıldı. Ayrıca 10 kHz ile 1 MHz frekans aralığında yapılan C-V ölçümlerinden doping yoğunluğu (Na) değerleri ve engel yüksekliği bulunmuş ve I-V ve C-V gözlemlerinden ulaşılan Φb0 değerleri karşılaştırılmıştır. I-V ve C-V den elde edilen engel yüksekliği değerlerinin farklılığı, engel yüksekliğinin homojen olmayışı, arayüzey tabakasının varlığı, arayüzey tabakasının kalınlığı ve seri direnç etkilerinin yanı sıra her iki yöntemin farklı tabiatına atfedilmiştir.

show abstract

Section: 𝐹(𝑉mentioning

confidence: 99%

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%