Electric field influence in dopant segregation in the LiNbO3: Cr3+ crystal growth process

Octaviano, E. S.; Andreeta, José Pedro; Gallo, N. J. H.

doi:10.1007/bf00349034

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“…The transformation from incongruent-melting state to congruent-melting state was successfully demonstrated for langasite (La 3 SiGa 5 O 14 ) crystal [1], and the critical energy of nucleation was altered during the growth of YBa 2 Cu 3 O 7 (YBCO) [2,3] and protein crystals [4,5]. Furthermore, growth dynamics such as ionic solute transport [6][7][8][9] and growth/melting kinetics [2] can be controlled by an external electric field. This growth method and its mechanism have attracted much attention recently due to the potential for better control of crystal structure and properties during growth, or even the potential to create entirely new types of crystals [1][2][3][4][5][6][7][8][9].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

“…Furthermore, growth dynamics such as ionic solute transport [6][7][8][9] and growth/melting kinetics [2] can be controlled by an external electric field. This growth method and its mechanism have attracted much attention recently due to the potential for better control of crystal structure and properties during growth, or even the potential to create entirely new types of crystals [1][2][3][4][5][6][7][8][9].…”

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Influence of impurity doping on the partitioning of intrinsic ionic species during the growth of LiNbO3 crystal from the melt

Kimura

Koizumi

Uchida

et al. 2009

Journal of Crystal Growth

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Influence of impurity doping on the partitioning of intrinsic ionic species during the growth of LiNbO3 crystal from the melt

Kimura

Koizumi

Uchida

et al. 2009

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“…Recentemente, Octaviano (1993) propôs um modelo para o crescimento Czochralski com campo elétrico aplicado (Eletroczochralski -ECZ). Em particular para o caso de polarização direta, ele supôs uma dependência diretamente proporcional da velocidade de crescimento do cristal  com a densidade de corrente J e para o caso de polarização reversa, ele supõe uma dependência inversamente proporcional, segundo a convenção de polarização adotada por Feisst (1983).…”

Section: -Considerações Gerais Sobre Resultados Anteriores Obtidos Paunclassified

“…Caso contrário as configurações térmicas mudam e os estados estacionários não são equivalentes. Infelizmente o cristal de de substância pura (Ge) e os cristais heterogêneos obtidos por Octaviano (1993) também apresentam este problema e portanto nenhuma informação a mais pode ser confrontada pelo modelo acima.…”

Section: -Relação Entre a Variação No Diâmetro Do Cristal E A Variaçãunclassified

Estudo da solidificação e do processamento cerâmico de ligas de silicio-germânio para aplicações termoelétricas

Alves¹

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Dou graças a Deus por ter me dado tudo o que precisei para realizar este trabalho: Aos meus pais Luiz Máximo Rodrigues e Gercina Alves de Queiroz Rodrigues por tudo que fizeram por mim e para mim. Ao prof. Michel André Aegerter pela orientação deste trabalho e pelo apoio como amigo. Ao Centro Técnico Aeroespacial, ao Instituto de Estudos Avançados, à Divisão de Energia Nuclear, aos amigos Paulo Antônio Ferreira, e Artur da Cunha Menezes Filho, pelos equipamentos, pelas verbas e por todo o apoio dispensado. Ao Odílio B. G. de Assis pela orientação no início deste trabalho Ao colega Edson Octaviano pela ajuda nas tentativas de crescimento do primeiro cristal da liga de Si-Ge por técnica Czochralski com campo elétrico. Ao colega Flávio Politi da UFSCar, pelas valiosas discussões. Aos técnicos da oficina mecânica: Carlinhos chefe da oficina, ao João, e ao Robertinho por toda atenção e apoio dispensado. Ao Ferri pela construção da câmara de vácuo, do sistema da técnica Laser-Flash. Ao Steffani pela construção do cadinho e da matriz de grafite para o Hot-Pressing Aos técnicos do laboratório do Grupo de Materiais Vitreos e Cerâmicos: Marcos Semenzato pela montagem do Laser do sistema da técnica Laser-Flash, pela ajuda nas medidas de picnometria, sedigrafia, porosimetria, etc. Jorge Novi pela ajuda com os cilindros de argônio, fornos, DTA, DSC, etc. Geraldo Frigo pela ajuda com os produtos químicos, e equipamentos, etc. Cláudio Massaki Kakuda pelos testes e montagens dos controladores de temperatura dos fornos, e ajuda na solução dos demais "pepinos" eletrônicos. vii As secretárias: Amália e Isabel Rosani, pela atenção e carinho com que encaminharam tudo o que precisei. Ao pessoal da oficina de ótica pelas lentes e janelas óticas. Ao Edivaldo pelas ampolas de quartzo Ao Cássio pelos cadinhos de quartzo e produtos químicos. Ao João Frigo pela amizade e pela ajuda com o forno Kokusay. Aos colegas e técnicos do Departamento de Materiais da EESC, em particular ao Sr. Alcides Robles pela ajuda com o forno de indução, pela amizade e por toda ajuda dispensada. Aos professores, José Carlos da Rocha e Jamil Dualibi do INT-Rio de Janeiro pela sinterização com o sistema Hot-Pressing Ao Marcelo Assumpção pelas horas e horas passadas no Microscópio Eletrônico. A Claúdia pela ajuda nas medidas do coeficiente Seebeck Ao Augusto pelas medidas de Raios-X Ao professor Samuel Irati do Departamento de Materiais da EESC, pelas valiosas discussões sobre teoria de solidificação. A amiga Bené pelas figuras e imagens digitalizadas pelo HP-scanner do LIE. Ao amigo Márcio Caligiuri pela impressão das versões preliminares deste trabalho. Ao amigo Maurício Simões pelas valiosas discussões A todos os colegas que direta ou indiretamente me ajudaram na realização deste trabalho. Ao meu irmão Lincoln pelas horas cedidas em seu computador para as correções. Ao meu irmão caçula Lauriberto pelos desenhos, e correções de português. Aos amigos pelo conforto nas horas difíceis. E um agradecimento muito especial aos irmãos em Cristo Jesus: Ercília e Arlindo Ir...

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