2013
DOI: 10.1063/1.4813074
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Electric field engineering using quantum-size-effect-tuned heterojunctions

Abstract: Electric field engineering using quantum-size-effect-tuned heterojunctions KAUST Repository

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
1
1
1

Citation Types

1
9
1
1

Year Published

2015
2015
2024
2024

Publication Types

Select...
10

Relationship

0
10

Authors

Journals

citations
Cited by 15 publications
(12 citation statements)
references
References 25 publications
1
9
1
1
Order By: Relevance
“…O mais recente desenvolvimento em células solares de pontos quânticos se dá por essas células de homojunção p-n. [135][136][137] Com a substituição da camada aceitadora de elétrons, a camada espessa de TiO 2 , por uma camada de PQ do tipo n, a junção pode ser composta unicamente por PQs, do tipo p de um lado, e do tipo n do outro. A justificativa dessa configuração é que os fótons solares podem ser absorvidos por ambos os lados da junção, e os portadores de carga podem ser eficientemente gerados e separados.…”
Section: Células Solares De Homojunçãounclassified
“…O mais recente desenvolvimento em células solares de pontos quânticos se dá por essas células de homojunção p-n. [135][136][137] Com a substituição da camada aceitadora de elétrons, a camada espessa de TiO 2 , por uma camada de PQ do tipo n, a junção pode ser composta unicamente por PQs, do tipo p de um lado, e do tipo n do outro. A justificativa dessa configuração é que os fótons solares podem ser absorvidos por ambos os lados da junção, e os portadores de carga podem ser eficientemente gerados e separados.…”
Section: Células Solares De Homojunçãounclassified
“…Heterostructures within optoelectronic devices offer unique control of the electron and hole energy levels throughout the device 13 . For example, in photovoltaic (PV) devices, energy band engineering can enable better harvesting of photogenerated charge carriers 46 . This concept is especially prevalent in vapor deposited heterostructures using MOCVD and MBE of III–V semiconductors 7 as well as in sputtered or thermally evaporated systems such as CIGS where the composition at surfaces can be altered to promote a buried location for the actual p-n charge separating junction 8,9 .…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…This has also led to the concept of quantum funnels, essentially the preparation of graded band gap using five QD layers and leveraging the fact that carriers will end up in the layer with the smallest band gap. This has resulted in improved fill factor, open-circuit voltage, and short-circuit current [217,235,236]. In addition, graded doping architectures have been used to improve device efficiency [237].…”
Section: Improving Drift Of Carriersmentioning
confidence: 99%