Abstract:Anlassen von hochreinem Eisen mit einer Querschnittsabnahme zwischen 18 und 80% bei Raumtemperatur und ‐ 196°C gewalzt. Untersuchung der Substruktur mit elektronenmikroskopischen Durchstrahlungsaufnahmen. Erörterung der Keimbildungsvorgänge. Aufnahme einer isochronen Anlaßkurve und Ermittlung der Rekristallisationstemperatur. Vergleich von technisch reinem und hochreinem Eisen nach Anlaßbehandlungen hinsichtlich der Substruktur und des Keimbildungsverhaltens.
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