Ein mögliches Modell des Stoßrauschens in pn-Übergängen

Abstract

P. GORLICR zum 75. Geburtstag gewidmet An npn-Planar-Epitaxie-Transistoren wird zur Ermittlung der Ursachen des StoBrauschens die Temperatur-und Spannungsabhkngigkeit des StoSrauschens beim aktiven Betrieb der Transistoren gemessen. Es wird ein Modell fiir das Stoljrauschen vorgeschlagen, nach dem die Impulsbreite durch den Einfang von Elektronen (oder Lijchern) auf Au-Niveaus bestimmt wird, die Impulspause jedoch durch Ladungstrigeremission von flacheren Niveaus, die sich dem Si-0-Si-Komplex zuordnen lassen. Es wird angenommen, daB es sich dabei um das Elektron eines Exzitons handelt, das beim Einfang durch das tieferliegende Zentrum entsteht und das durch das weniger tiefliegende Niveau eingefangen wird.