Effet De Lirradiation Par Des Particules Chargees Sur Le Coefficient De Diffusion De La Base Dune Photopile Au Silicium (N+-P-P+) :Determination De Lepaisseur Optimum Sous Eclairement Monochromatique

Abstract

Linfluence de lirradiation de particules chargees (helium, electrons, protons, ions lourds, etc.) sur une photopile au silicium n+-p-p+ sous eclairement dune lumiere monochromatique est consideree dans la determination de lepaisseur optimum de la base. Des expressions de la vitesse de recombinaison a la face arriere (Sb1 intrinseque et Sb2 dependante de labsorption de la lumiere) sont comparees graphiquement, donnant les epaisseurs optimales necessaires pour lelaboration de photopilesau silicium devant fonctionner dans des cas de flux denergie dirradiation.

Effet De Lenergie Dirradiation Sur La Resistance Serie Dans Une Photopile (N+/P/P+) Au Silicium a Jonctions Verticales Series

“…-L'émetteur de type n + , d'épaisseur faible (0,5 à 1µm), et fortement dopé en atomes donneurs(10 17 à 10 19 atomes par cm 3 )) -La base de type p estrelativement peu dopée en atomes accepteurs(10 15 à 10 17 atomes par cm 3 ). Son épaisseur est beaucoup plus importante, et a fait l'objet d'études en optimisation [45], [46], [47], [48], [49], [50].…”

“…photogénérés   z x p kl , , ,  aux cordonnées (x, z) dans la base (p), et munie des conditions aux limites caractérisées par les vitesses de recombinaison à la jonction(Sf) [37], [38]et (Sb) en face arrière [39], [40], [41] La densité de photocourant (Jph(Sf)) et la phototension (Vph(Sf)) sont respectivement déduites par la loi de Fick et de Boltzmann, afin d'établir la caractéristique courant (Jph(Sf))-tension (Vph(Sf)) de la photopile sous éclairement [38], [42], 43], pour chaque cas d'irradiation. Le modèle électrique équivalent de la photopile sous éclairement, au point de fonctionnement de circuit ouvert défini par (Sf) la vitesse de recombinaison des porteurs de charge à la jonction, permet de remonter à la résistance série de la photopile d'épaisseur de base optimisée [45], [46], [47], [48], [49], [50], pour chaque dose d'irradiation.…”