Özet: Geçirgen iletken oksitlerden biri olan indiyum oksit (In 2 O 3) yarıiletken filmleri spray pyrolysis yöntemiyle 300, 350 ve 400 °C taban sıcaklıklarında cam tabanlar üzerine elde edilmiştir. X-ışını kırınım desenleri incelendiğinde, numunelerin cisim merkezli kübik In 2 O 3 kristal yapısına sahip olduğu ve taban sıcaklığı artışının filmlerin yapısal özelliklerini iyileştirdiği belirlenmiştir. Alan emisyon taramalı elektron mikroskobu görüntülerinden, elde edilen filmlerin yüzeye iyi tutunduğu, homojen bir dağılım sergilediği ve taneli bir yapılanmanın olduğu saptanmıştır. Geçirgenlik ölçümlerinden numunelerin direkt bant geçişine sahip olduğu ve bant aralığı değerlerinin 3,38-3,67 eV aralığında değiştiği belirlenmiştir. Numunelerin kırılma indisi ve sönüm katsayısı dalgaboyunun fonksiyonu olarak yansıma spektrumundan envelope yöntemi yardımıyla incelenmiştir. In 2 O 3 filmlerinin dielektrik sabitleri (n, k, ε 1 ve ε ∞), plazma frekansı ω p ve taşıyıcı yoğunluğu N opt gibi optik parametreleri de belirlenmiştir.