Effect of substrate temperature on structural and electrical properties of BaZr 0.2 Ti 0.8 O 3 lead-free thin films by pulsed laser deposition

Effect of annealing temperature on energy storage performance of Ba(Zr0.35Ti0.65)O3 thin films under pure oxygen

“…4,5 It is found that Ba(Zr x Ti 1Àx )O 3 (BZT), obtained by the B-site substitution of BaTiO 3 , [6][7][8][9] can effectively lessen the leakage current density and residual polarization, while increasing the breakdown field strength. [10][11][12] With the increase of Zr content, BZT can be transformed from ferroelectric material to relaxor ferroelectric material. When zirconium content increases to 35%, Ba(Zr 0.35 Ti 0.65 )O 3 (BZT35) exhibits complete relaxor ferroelectricity and typical relaxor behavior can be observed.…”

Сегнетоэлектрические Пленки Титаната-Цирконата Бария На Сапфировых Подложках

“…В настоящее время опубликован ряд работ, в которых исследуются свойства пленок BZT с целью их применения в электрически управляемых устройствах [8][9][10][11]. Однако полученные в данных работах образцы демонстрируют сравнительно высокие диэлектрические потери в низкочастотном диапазоне (tan δ достигает 0.05 на частоте 1 MHz), что делает невозможным их использование на СВЧ.…”