Effect of silicon on relaxation of the crystal lattice in MOCVD–hydride Al x Ga1 − x As:Si/GaAs(100) heterostructures

Эпитаксиальные твердые растворы Al-=SUB=-x-=/SUB=-Ga-=SUB=-1-x-=/SUB=-As : Mg с различным типом проводимости

“…Ввиду того что исследуемые образцы гетероструктур были выращены в области составов, изопериодических подложке GaAs (100), будем использовать линейные ин-терполяции для закона Вегарда, коэффициентов Пуассо-на и зависимости ширины запрещенной зоны от состава аналогичные тем, что использовались в наших предыду-щих работах [9,10,32,33].…”

“…Подтвердить высказанные предположения мы смогли, основываясь на простейшем расчете частот колебаний ближайших соседей для алмазоподобной решетки на ос-нове модели, предложенной Харрисоном [35] и успешно апробированной в [32,36].…”

“…Расчеты в данном приближении показали, что ча-стота дополнительной моды (ω LO = 520 см −1 ), обна-руженной нами в эксперименте, практически совпа-дает с рассчитанной частотой для фононов Mg−As (ω LO = 512 см −1 ). Таким образом, можно с уверен-ностью говорить о том, что при легировании ато-мы магния замещают атомы в металлической подре-шетке слоя Al x Ga 1−x As по аналогии с тем, что мы уже наблюдали в высоколегированных кремнием и углеродом гетероструктурах Al x Ga 1−x As : Si/GaAs (100), Al x Ga 1−x As : C/GaAs (100) [8,9,11,32].…”

Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)

“…Однако в условиях миниатюриза-ции конечных устройств на основе A III B V производство оптоэлектронной компонентной базы требует повыше-ния функциональных свойств классических материа-лов [3], в том числе и для дальнейшей оптоволоконной интеграции полупроводников GaAs с различными под-ложками, в том числе и с кремниевой схемой обработ-ки сигналов. Поэтому поиск технологических приемов получения эпитаксиальных гетероструктур на основе A III B V с улучшенными функциональными свойствами продолжается [4,5].…”

Structural and Optical Investigations of Heterostructures Based on AlxGa1-xAsySeredin1 2014Physics Research InternationalSelf Cite1000View full textAdd to dashboardCite

“…Looking back on the experience of the previous studies of growth processes when Al x Ga 1−x As solid solutions were highly doped with silicon [10,11], it is clear to see that this circumstances are sufficient for the formation of system Al x Ga 1−x As 1−y P y -Si solid solutions.…”