Effect of growth temperature and GaAs substrate misorientation on the morphology of InAsBi nanoislands grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Boussaha, R.; Fitouri, H.; Rebey, A.; Jani, B. El

doi:10.1016/j.apsusc.2013.10.120

Cited by 16 publications

(3 citation statements)

References 32 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…In recent years, high-performance III-V semiconductor PD have been made possible by utilizing nanostructures such as nanowires (NWs) [30][31][32][33], nanosheets (NSs) [34][35][36], nanoislands [37][38][39], nanodisks [40][41][42][43], nanoflowers [44], and nanocolumns [45,46]. These structures, with their nanoscale sizes, exhibit new physics phenomena that are different from planar PDs, leading to the possibility of developing the next-generation optoelectronic devices that are low-cost, large-scale and high-performance systems.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Recent progress of group III–V materials-based nanostructures for photodetection

Cong,

Yin,

Zheng

et al. 2024

Nanotechnology

View full text Add to dashboard Cite

Due to the suitable bandgap structure, efficient conversion rates of photon to electron, adjustable optical bandgap, high electron mobility/aspect ratio, low defects, and outstanding optical and electrical properties for device design, III-V semiconductors have shown excellent properties for optoelectronic applications, including photodiodes, photodetectors, solar cells, photocatalysis, etc. In particular, III-V nanostructures have attracted considerable interest as a promising photodetector platform, where high-performance photodetectors can be achieved based on the geometry-related light absorption and carrier transport properties of III-V materials. However, the detection range from Ultraviolet to Terahertz including broadband photodetectors of III-V semiconductors still have not been more broadly development despite significant efforts to obtain the high performance of III-V semiconductors. Therefore, the recent development of III-V photodetectors in a broad detection range from Ultraviolet to Terahertz, and future requirements are highly desired.In this review, the recent development of photodetectors based on III-V semiconductor with different detection range is discussed. First, the bandgap of III-V materials and synthesis methods of III-V nanostructures are explored, subsequently, the detection mechanism and key figures-of-merit for the photodetectors are introduced, and then the device performance and emerging applications of photodetectors are provided. Lastly, the challenges and future research directions of III-V materials for photodetectors are presented.

show abstract

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Recent progress of group III–V materials-based nanostructures for photodetection

Cong,

Yin,

Zheng

et al. 2024

Nanotechnology

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Хорошо известно, что одним из подходов, часто используемых при производстве оптоэлектронных компонент, является рост гетероструктур на подложках с отклонением от стандартного направления роста монокристалла, т. е. с разориентацией [13,14]. Так, в наших предыдущих работах мы уже обращали внимание на то, что использование подложек GaAs [15] и Si [16][17][18][19] с разориентацией и предварительной обработкой [20] позволяет не только контролировать и эффективно управлять морфологией поверхности тонких эпитаксиальных пленок при гомо- [15] и гетероэпитаксиальном [21] росте методом MOCVD, но и контролировать их оптические характеристики, а также форму, разпределение и размеры неоднородностей на поверхности эпитаксиальной пленки, тип и концентрацию введенной примеси [21].…”

Section: Introductionunclassified

Фазовый состав, морфология, оптические и электронные характеристики наноразмерных пленок AlN, выращенных на подложках GaAs(100) с разориентацией

Seredin¹,

Федюкин²,

Терехов³

et al. 2019

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Thin nano-sized aluminum nitride films on GaAs (100) substrates with varying degrees of misorientation with respect to the <100> direction can be obtained by reactive ion-plasma deposition. It is shown that growth on substrates with different degrees of mismatch from the <100> direction leads to the growth of an AlN film with different phase composition and crystalline state. An increase in the degree of misorientation in the GaAs substrate used for growth is reflected both in the structural quality of nanoscale AlN films and in their electron structure, surface morphology, and optical properties. Thus, the management of the morphology, surface composition and optical functional characteristics of AlN/GaAs heterophase systems can be achieved by using the degree of misorientation of the GaAs substrates.

show abstract

“…Одним из подходов, широко используемых при произ-водстве оптоэлектронных компонент и активно развива-емых в последнее время, является рост на подложках с разориентацией [6][7][8].…”

Section: Introductionunclassified

Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)

Seredin¹,

Lenshin²,

Федюкин³

et al. 2018

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Исследовано влияние степени разориентации подложки GaAs, а также ее обработки на структурные и оптические характеристики гомоэпитаксиальных структур GaAs/GaAs(100), выращенных методом MOCVD. На основе данных комплекса структурных и спектроскопических методов показано, что увеличение степени отклонения подложки от точной ориентации до 4• к [110] приводит к ступенчатому росту пленки GaAs на первоначальном этапе, а дальнейшее увеличение величины разориентации до 10• к [110] приводит к росту числа дефектов в структуре эпитаксиальной пленки. При этом образцы гомоэпитаксиальных структур, выращенные методом MOCVD на подложках GaAs (100) с разориентацией 4• к [110], обладают максимальным выходом фотолюминесценции, превосходящим примерно на 15% аналогичную величину для структур, выращенных на точно ориентированной подложке GaAs(100). Предварительная полировки подложки GaAs (удаление окисного слоя) также приводит к возрастанию эмиссии фотолюминесценции по сравнению с неполированной подложкой того же типа, а для образцов, выращенных на подложках с разориентацией 4• такое увеличение выхода фотолюминесценции составляет величину ∼ 30%.

show abstract

Effect of growth temperature and GaAs substrate misorientation on the morphology of InAsBi nanoislands grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Cited by 16 publications

References 32 publications

Recent progress of group III–V materials-based nanostructures for photodetection

Recent progress of group III–V materials-based nanostructures for photodetection

Фазовый состав, морфология, оптические и электронные характеристики наноразмерных пленок AlN, выращенных на подложках GaAs(100) с разориентацией

Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)

Contact Info

Product

Resources

About