Effect of gain saturation on the current-power characteristic of semiconductor laser

Sokolovskiĭ, G. S.; Dudelev, V. V.; Deryagin, A. G.; Kuchinskiĭ, V. I.

doi:10.1134/s1063785012070139

Cited by 3 publications

(1 citation statement)

References 7 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Насыщение усиления полупроводниковых лазеров оказывает серьезное влияние на их динамические характеристики [5][6][7][8][9]. Особенно ярким эффектом является срыв лазерной генерации при накачке полупроводниковых лазеров мощными импульсами тока с длительностями порядка 20−100 ns при 20−40-кратном превышении амплитудой импульса тока накачки величины порогового тока с последующим включением лазера через 10−80 ns в зависимости от длительности импульса тока и его амплитуды [7][8][9][10].…”

Section: поступило в редакцию 30 мая 2016 гunclassified

Генерация Мощных Ультракоротких Оптических Импульсов Полупроводниковыми Лазерами

Дюделев¹,

Зазулин²,

Колыхалова³

et al. 2016

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

Исследованы полупроводниковые лазеры с выводом излучения через оптическое волокно при их накачке мощными короткими импульсами тока с длительностью 5 ns и передним фронтом импульса меньше 1 ns. Показано, что при такой накачке удается получить существенное обострение оптического выходного импульса: менее 80 ps для одномодового лазера и 120 ps для широкополоскового многомодового лазера с высокой выходной пиковой оптической мощностью: 1.5 W для одномодового и 27 W для многомодового соответственно.

show abstract