2019
DOI: 10.1557/adv.2019.163
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Effect of Epitaxial Stresses on the Time Dynamics of Photoexcited Charge Carriers in InGaAs–Based Superlattices

Abstract: We report on the time-resolved measurements of photocarrier dynamics in InGaAs/InAlAs superlattices with epitaxial stresses in a wide range of optical pump fluences. We demonstrated that the contribution of free carrier absorption and two-photon absorption to the carrier dynamics decreases with an increase of epitaxial stresses. The lowest relaxation times of 1.7 and 8.3 ps, respectively attributed to carrier trapping and carrier recombination, were obtained for the structure with maximum epitaxial stresses.

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
1
1

Citation Types

0
3
0
1

Year Published

2021
2021
2023
2023

Publication Types

Select...
5

Relationship

0
5

Authors

Journals

citations
Cited by 5 publications
(4 citation statements)
references
References 13 publications
0
3
0
1
Order By: Relevance
“…Мы применили этот подход в настоящей работе, ожидая, что за время ТГц импульса большее число " легких" фотовозбужденных носителей заряда успеет достигнуть электродов антенны. Помимо этого, гетероинтерфейсы между слоями с напряженной кристаллической решеткой также обладают повышенной шероховатостью по сравнению с гладкими гетероинтерфейсами у решеточносогласованных структур [31]. В многопериодной структуре большое количество таких гетероинтерфейсов увеличивает скорость рассеяния фотовозбужденных электронов на границах слоев, при этом подвижность в плоскости слоя остается высокой.…”
Section: образцы и методы исследованияunclassified
“…Мы применили этот подход в настоящей работе, ожидая, что за время ТГц импульса большее число " легких" фотовозбужденных носителей заряда успеет достигнуть электродов антенны. Помимо этого, гетероинтерфейсы между слоями с напряженной кристаллической решеткой также обладают повышенной шероховатостью по сравнению с гладкими гетероинтерфейсами у решеточносогласованных структур [31]. В многопериодной структуре большое количество таких гетероинтерфейсов увеличивает скорость рассеяния фотовозбужденных электронов на границах слоев, при этом подвижность в плоскости слоя остается высокой.…”
Section: образцы и методы исследованияunclassified
“…It is worth pointing out here that processes τ 1 and τ 2 in the structure with epitaxial strains are not observed. In [38], this effect is associated with a decrease of contribution of free carrier absorption and two-photon absorption to charge carriers dynamics. Here, as is evident from the relaxation curves, introduction of the epitaxial strain decreases time τ 3 .…”
Section: Formation Of Superlattice Heterostructures On the Basis Of Ingaasmentioning
confidence: 99%
“…Here, as is evident from the relaxation curves, introduction of the epitaxial strain decreases time τ 3 . First of all, it can be determined by concentration of the trapping states, resulting from epitaxial strains [38]. Finally, time τ 4 , characteristic of the carrier recombination time for the structure with epitaxial strain, demonstrates low values.…”
Section: Formation Of Superlattice Heterostructures On the Basis Of Ingaasmentioning
confidence: 99%
“…A significant improvement in the lifetime/mobility of photoexcited charge carriers has been reported for GaAs‐based heterostructures modified by elastic stresses. [ 9–11 ] Within the framework of in‐used technologies, the improvement of spectral characteristic and signal‐to‐noise ratio (SNR) can be achieved by changing either the material characteristics (by doping with beryllium, [ 12 ] constructing metamaterials, [ 13 ] superlattice structures, [ 14 ] and nanowires, [ 15 ] changing the crystallographic orientation of the substrate [ 16 ] ) or improving the electrode design using the metasurfaces. [ 13,17,18 ]…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%