미량의 알루미늄(Al), 1) 갈륨(Ga), 2) 또는 주석(Sn) 3) 이 첨 가된 산화아연(ZnO) 박막은 재료 본연의 높은 가시광 투 과도와 낮은 면저항 (~100 Ohm/Sq.) 특성을 동시에 갖기 때문에 다양한 전자재료, 특히 대면적 표시소자(display devices)의 투명전극재로 널리 활용되고 있다, 특히 알루 미늄이 첨가된 AZO 박막은 기존의 표시소자 산업에서 주 재료로 사용되던 인듐 주석 산화물[Sn doped indium oxide (In 2 O 3 ), ITO] 박막과 유사한 투광성과 비저항을 갖는 대표 적인 TCO 박막이지만, 상대적으로 낮은 비저항(resistivity) 으로 적정한 전기전도 특성을 확보하기 위해서는 증착공 정 중의 높은 기판온도 또는 증착 후속 열처리 공정이 필 수로 진행되어야 했다. 1) 따라서 본 연구에서는 종래의 ITO 박막의 전기광학적 특성을 보유한 새로운 투명 전극 소재 연구에 적용되는 oxide/metal/oxide (OMO) 4) 적층 구 조에서, 전기화학적으로 안정한 ZnO 박막을 상부와 하부 기저층으로 적용하고, 전기전도도가 높은 구리(Cu) 박막 을 중간층으로 채택한 ZnO/Cu/ZnO (ZCZ) 박막을 교류 라 디오 주파수(radio frequency, RF)와 직류(direct current, DC) 마그네트론 스퍼터 공정으로 증착하고, 후속으로 전 자빔 표면 조사(irradiation) 5) 를 실시하여 적층 박막의 구