2015
DOI: 10.1109/jstqe.2015.2412495
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Effect of Cavity Lifetime Variation on the Static and Dynamic Properties of 1.3-μm Wafer-Fused VCSELs

Abstract: We investigate experimentally the impact of photon cavity lifetime variations on the static and dynamic performance of high-speed 1.3-μm wavelength wafer-fused vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs). The photon lifetime is modified by decreasing the top mirror reflectivity either by shallow-surface etching or by Bragg-reflector layer-pair removal. Significant improvements in both static and dynamic VCSEL performance as well as the extraction of internal VCSEL device parameters are achieved.

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1
1

Citation Types

0
12
0
8

Year Published

2017
2017
2022
2022

Publication Types

Select...
8
1

Relationship

0
9

Authors

Journals

citations
Cited by 28 publications
(20 citation statements)
references
References 24 publications
0
12
0
8
Order By: Relevance
“…where α i is the internal loss, η i is the internal quantum efficiency, and α m F and α m R are the front and rear mirror losses, respectively [22]. Reducing the internal loss is important for enhancing η d F .…”
Section: Enhancement Of Differential Quantum Efficiencymentioning
confidence: 99%
“…where α i is the internal loss, η i is the internal quantum efficiency, and α m F and α m R are the front and rear mirror losses, respectively [22]. Reducing the internal loss is important for enhancing η d F .…”
Section: Enhancement Of Differential Quantum Efficiencymentioning
confidence: 99%
“…Толщины резона-тора и РБО выбраны так, чтобы проектное значение резонансной длины волны микрорезонатора было смещено в длинноволновую область относительно пика усиления активной области на 50−60 nm. Для исследуемой спеченной структуры применено стравливание двух пар слоев Al 0.9 Ga 0.1 As/GaAs в верхнем РБО с последующим прецизионным травлением на глубину 70 nm для получения оптимального времени жизни фотонов в резонаторе [12].…”
Section: поступило в редакцию 31 июля 2017 гunclassified
“…Это ограничивает минимально-достижимый уровень внутренних оптических потерь ВИЛ гибридной конструкции на 10 cm −1 [10]. Теоретически шероховатость интерфейсов эпитаксиальных нелегированных AlGaAs РБО существенно ниже шероховатости интерфейсов диэлектрических зеркал, однако уровень внутренних оптических потерь ВИЛ спектрального диапазона 1.3 µm на основе InAlGaAs КЯ, полученных методом спекания пластин гетероструктур, синтезированными методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (ГФЭМО), лишь на 10% ниже потерь для ВИЛ гибридной конструкции [12], что, по-видимому, обусловлено размытием гетерограниц и неоптимальным профилем легирования структуры. МПЭ потенциально позволяет обеспечить шероховатость на уровне отдельных монослоев и более резкие гетерограницы, в связи с чем вопрос оценки уровня внутренних оптических потерь таких ВИЛ представляется крайне актуальным.…”
unclassified
“…При этом потери на вывод излучения задаются значениями коэффициентов отражения зеркал РБО и эффективной длиной вертикального микрорезонатора L e f f согласно выражению: [9,12], но и для рекордно быстродействующих ВИЛ спектрального диапазона 1.55 µm на основе толстых InAlGaAs КЯ с коротким резонатором, полученных с использованием гибридной конструкции длинноволновых ВИЛ [10]. В настоящей работе представлены результаты анализа уровня внутренних оптических потерь и эффективности токовой инжекции одномодовых ВИЛ спектрального диапазона 1.55 µm c активной областью на основе тонких напряженных InGaAs/InAlGaAs КЯ и нелегированных AlGaAs/GaAs РБО, полученных методом спекания пластин.…”
unclassified