Efeitos das radiações ionizantes de raios-X no SOI nMOSFET com geometria de porta octogonal

Abstract

Antes de tudo agradeço ao Grande Arquiteto do Universo, por nos dar a oportunidade de aperfeiçoamento. Ao orientador e amigo, professor Doutor Salvador Pinillos Gimenez, por acreditar e lutar para que um curso "strictu sensu" de Mestrado e, principalmente, de Doutorado, fossem realizados por pessoas inseridas nas empresas brasileiras, na tentativa, mesmo que a longo prazo, de viabilizar as parcerias entre a academia e a indústria. Caro Prof. Salvador, muito obrigado por acreditar não só no MOSFET do tipo Octogonal, mas também em minha capacidade, mesmo que em alguns momentos limitada, mas que, com sua ajuda, foi equilibrada. Parabéns pelo respeito, ética e preocupação com o nível de formação dos seus orientandos, pois sei que para você nós somos mais do que meros alunos, somos praticamente filhos, e que levaremos as sementes da pesquisa para outros lugares.

Estudo do tipo octo em ambientes de radiações ionizantes de raios-x

“…A abordagem por RHBD, engloba o uso de novas geometrias de porta para os MOSFETs. Estudos anteriores como "Estudo do comportamento elétrico de estruturas MOSFETs não convencionais e do MOSFET diamante em ambientes radioativos" (Alati, 2012), "Implementação dos leiautes e estudo comparativo experimental entre MOSFETs planares de potência com diferentes estilos de leiaute" (Souza, 2016), "Efeitos das radiações ionizantes de raios-x no SOI MOSFET de geometria de porta octogonal" (Fino, 2017) e "Estudo dos MOSFETs com estilo de leiaute do tipo elipsoidal" (Correia, 2016) (Fino, 2017).…”

Estudo do casamento entre MOSFETs implementados com geometrias de porta não convencionais em ambientes de radiações de raios X

“…Após a obtenção das curvas características de todos os nMOSFETs, foi então realizado um procedimento de irradiação por raios-X em um chip para uma certa dose ionizante acumulada decidida previamente, baseando-se em referências bibliográficas (da ordem de Mrad para o estudo em Floating e da ordem de krad para os estudos em Onstate, Off-state e Analog) [46], [47]. Logo em seguida ao término do processo de irradiação, as curvas características dos nMOSFETs do chip irradiado foram novamente levantadas.…”