2018
DOI: 10.1016/j.apsusc.2018.06.272
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Early stage of Cs activation mechanism for In0.53Ga0.47As (0 0 1) β2 (2 × 4) surfaces: Insights from first-principles calculations

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1

Citation Types

0
0
0
1

Year Published

2020
2020
2024
2024

Publication Types

Select...
6

Relationship

0
6

Authors

Journals

citations
Cited by 8 publications
(1 citation statement)
references
References 48 publications
0
0
0
1
Order By: Relevance
“…示. 为判断上述表面构型稳定性强弱, 计算每单位 面积形成一个新的表面并沿平面将晶体切割成两 面所需的能量, 即表面能 [24] : [25] φ 模型. 吸附Cs原子和Cs/O原子的两种表面模型 的吸附能表达式分别为 [27,28] 有更高的QE和更长的阈值波长的实验现象 [13][14][15] .…”
Section: 这六种表面模型结构的俯视图和侧视图如图1所unclassified
“…示. 为判断上述表面构型稳定性强弱, 计算每单位 面积形成一个新的表面并沿平面将晶体切割成两 面所需的能量, 即表面能 [24] : [25] φ 模型. 吸附Cs原子和Cs/O原子的两种表面模型 的吸附能表达式分别为 [27,28] 有更高的QE和更长的阈值波长的实验现象 [13][14][15] .…”
Section: 这六种表面模型结构的俯视图和侧视图如图1所unclassified