Dysprosium hafnate as absorbing material for control rods

A study of the formation of Ln2 + x Me2 − x O7 − x/2 (Ln = Gd, Dy; Me = Zr, Hf) nanocrystals

“…Бинарные соединения с общей формулой Ln 2+х Me 2-х O 7-х/2 , образующиеся в двухкомпонентных системах «Ln 2 O 3 -MeO 2 » (где Ln -катионы РЗЭ; Ме -катионы подгруппы IVB: Ti, Zr, Hf), представляют собой большую группу неорганических соединений интересных как с научной (фазовый переход флюорит  пирохлор) [2,3], так и практической точки зрения, поскольку являются перспективными теплоизоляционными [4] и нейтронопоглощающими [5] материалами, ионными проводниками [3], матрицами для хранения радиоактивных отходов [6]. Данные вещества в зависимости от условий могут иметь две кристаллические структуры: пирохлор ( …”

Formation of nanocrystalline structures in the Ln2O3-MO2 systems (Ln = Gd, Dy; M = Zr, Hf)

“…2 эффективно поглощающие нейтроны [7,8] и γ-излучение [9]. Кроме того пирохлоры являются перспективными материалами для утилизации высокорадиоактивных отходов [10,11].…”

Properties of Polydisperse Tin-doped Dysprosium and Indium Oxides

“…Therefore, studies of the dysprosium oxide doping with various elements are of considerable practical interest. The use of such dopants as Ce, Rh, Zr, and Hf [2][3][4][5] is well known, but there are practically no data on doping of dysprosium oxide with Sn. At the same time, the most widely studied oxide material used in electronics is indium oxide doped with tin (ITO), which is a solid solution of indium oxide (III) and tin (IV).…”