Distributions énergétique et angulaire de l'émission ionique secondaire. III. Distribution angulaire et rendements ioniques

Abstract

Cet article constitue la troisième partie d'une étude expérimentale de l'émission d'ions secondaires positifs par des cibles métalliques bombardées par des ions de gaz rares d'une énergie de quelques kiloélectron-volts. Nous déterminons, selon diverses conditions de bombardement, la distribution angulaire et le rendement de l'émission de plusieurs métaux (Mg, Al, Si, Ti, Fe, Ni, Cu). Nous discutons ensuite un mécanisme cinétique d'émission d'ions secondaires que l'on peut déduire de l'ensemble de ces résultats

Quantification of metal trace contaminants on Si wafer surfaces by Laser-SNMS and TOF-SIMS using sputter deposited submonolayer standards

“…The angular distribution of sputtered particles is more pronounced in this direction. 15 Therefore the assumption of a cosine distribution in Equation ͑3͒ results in too small values of the calculated surface concentrations. For the following investigations, the surface coverages determined by TXRF were used.…”

Processus de formation d'ions à partir d'atomes éjectés dans des états électroniques surexcités lors du bombardement ionique des métaux de transition

“…VALIDITÉ DU NIODÈLE. -Pour juger de la validité du modèle, nous disposons des mesures expéri-mentales des rendements globaux K+ [11] pour les particules de toute énergie. En raison de l'aspect particulier de l'émission des ions de basse énergie [13], il serait préférable de n'utiliser des rendements que pour l'ensemble des particules rapides émises par exemple au-delà de 30 eV.…”

“…Nous avons donc porté figure 9 en valeurs relatives par rapport au cuivre les différentes données expéri- rendements ioniques globaux (11) rendements ioniques théoriques (ta-P(Am) Cu bleau III) (précision 20 à 40 00)' de P(Am) calculées, on estime que le rendement erratique du titane et du vanadium est de l'ordre de 0,7 fois celui du cuivre; cette valeur paraît en effet très raisonnable.…”

“…Par contre, on n'observe pas de « pic Auger » dans la distribution énergétique des électrons secondaires émis par les métaux de la première série de transition [10]. Cependant, nous pou-Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/jphys:0197000310109300 vons étudier le mécanisme d'émission de ces métaux à partir de résultats expérimentaux concernant la mesure des rendements ioniques globaux [11] ainsi qu'à partir de mesures, effectuées au microanalyseur ionique [12], de rendements en ions de différentes énergies, pris dans une bande de 15 eV : ions lents de 0 à 15 eV; ions rapides de 50 Jb 7,5 eV et 100 ± 7,5 eV [13]. La comparaison de l'intensité d'émission des ions rapides, d'une énergie donnée (50 et 100 eV), émis par les différents métaux a permis de constater une décroissance monotone du rendement en ions lorsqu'on passe du titane au cuivre.…”

Growth of epitaxial silicon layers by ion beam sputtering

“…Hennequin (1968) determined the nature and energy distribution of the Si ion species, Si+ and Si2+, for bombardment with A+ ions of energy up to 8keV. The most probable ejection energy of the Si ion species was about 10eV but Hennequin has quoted figures for the mean energy of ejection (E2) which is a good bit larger than the most probable ejection energy because of the presence of the high energy tail in the distribution.…”