2011
DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2010.11.086
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Discussion on the origin of NIR emission from Bi-doped materials

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
3

Citation Types

3
145
0
1

Year Published

2011
2011
2024
2024

Publication Types

Select...
9
1

Relationship

2
8

Authors

Journals

citations
Cited by 182 publications
(149 citation statements)
references
References 58 publications
(163 reference statements)
3
145
0
1
Order By: Relevance
“…Серьезным препятствием на пути совершенствования висмутовых лазеров и усилителей является отсутствие адекватной модели ИК висмутового активного центра (BAC) в оптических средах. Ни одна из обсуждаемых в литературе моделей (их достаточно полный перечень можно найти в обзоре [9]) не удовлетворяет всем имеющимся на сегодняшний день экспериментальным данным (см., напр., обзор [10]). BAC наилучшим образом проявляют свои усилительные и генерационные свойства при условии малой концентрации висмута (обычно менее 0.02 ат.%), и, следовательно, самих BAC.…”
Section: Introductionunclassified
“…Серьезным препятствием на пути совершенствования висмутовых лазеров и усилителей является отсутствие адекватной модели ИК висмутового активного центра (BAC) в оптических средах. Ни одна из обсуждаемых в литературе моделей (их достаточно полный перечень можно найти в обзоре [9]) не удовлетворяет всем имеющимся на сегодняшний день экспериментальным данным (см., напр., обзор [10]). BAC наилучшим образом проявляют свои усилительные и генерационные свойства при условии малой концентрации висмута (обычно менее 0.02 ат.%), и, следовательно, самих BAC.…”
Section: Introductionunclassified
“…Furthermore, the direct measurements of the valence state of bismuth ions with traditional instrumental approaches, e.g., electron energy loss spectroscopy (EELS), extended x-ray absorption fine structure (EXAFS) or X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), may cause some artifacts since the valence state of bismuth species can be changed when irradiated with high energy beams such as electrons, X-ray, c-ray, or fs laser. [20][21][22][23][24][25] 39 Single bismuth center with four different types is proposed for NIR luminescence in Bi-doped aluminosilicate optical fibers. 54 Bi þ and Bi 0 together were ascibed to contribute to the NIR luminescence.…”
mentioning
confidence: 99%
“…Unfortunately, none of these models show comprehensive evidences. 10 significant challenge is the development of broadband application for BEDF, Zinat and J. Zhang did some pioneer work in the spectral characterization of BEDF. However, only the spectral property of BEDF was specified under single 830 nm pumping, 13 in which only one or two dominant luminescence bands were observed.…”
mentioning
confidence: 99%