2013
DOI: 10.15407/ujpe58.02.0151
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Discrete Properties of Quasiliquid Water Film in the Ice Premelting Range. 1. Temperature Dependences of Water Nanofilm Thickness and Viscoelastic Properties of Polycrystalline Ice

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
1
1
1

Citation Types

0
3
0
3

Year Published

2014
2014
2020
2020

Publication Types

Select...
5

Relationship

0
5

Authors

Journals

citations
Cited by 5 publications
(6 citation statements)
references
References 18 publications
0
3
0
3
Order By: Relevance
“…2D) ranging from 100 nm to 500 nm. To fix ideas, the thickness of the stationary film is typically a factor of four higher than the values for the equilibrium premelting films (pale blue in Fig 2.D) [7,[9][10][11].…”
Section: Interfacial Film Thicknessmentioning
confidence: 99%
See 1 more Smart Citation
“…2D) ranging from 100 nm to 500 nm. To fix ideas, the thickness of the stationary film is typically a factor of four higher than the values for the equilibrium premelting films (pale blue in Fig 2.D) [7,[9][10][11].…”
Section: Interfacial Film Thicknessmentioning
confidence: 99%
“…In spite of more than a century of investigation, the very origin of this puzzling property is not settled yet and remains highly debated. Since the seminal work of Faraday [6], a consensus has been reached on the existence of a liquid-like layer wetting the ice surface [7][8][9][10][11][12], with a thickness varying between 1 and 100 nm depending on the temperature [13], although the underlying mechanism of formation remains debated [14,15]. Now, under sliding the fate of the interfacial film remains largely unknown [16].…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…This is manifested in the strengthening of the broadband electronic background, oxidation of the structure of NC MoS2(C) with the formation of molybdenum trioxide α-MoO3, that leads to the activation of the formation and ordering of diamond-like and graphite-like nanostructures with the participation of nanocomposite MoS2 + MoO3. The change of electronic states is largely associated with the excitation of higher vibrational states and the effects of strong vibrationalelectronic interaction [14][15][16][17], that shows the way to control the electronic properties of nanoparticles.…”
Section: Discussionmentioning
confidence: 99%
“…Проанализируем возможные физические механизмы возникновения алмазоподобных структур в НЧ MoS 2 -С. Известно, что в тонких слоях и наночастицах многих веществ могут быть устойчивыми структуры, метастабильные для массивных образцов, в том числе характерные для фаз высокого давления [41]. Особые свойства НЧ MoS 2 -С, включая возбуждение высших колебательных состояний, благодаря нелинейному резонансному взаимодействию термически возбуждённых колебательных мод и усиление КЭÂ [7][8][9][10], существенно активируют вещество, способствуя образованию благоприятных условий для синтеза фаз высокого давления. Â частности, это проявляется в аномальном усилении наблюдаемых колебательных полос в спектрах КР НЧ MoS 2 -С второго порядка 2 3 819 см 1 ,  1  2 662 см 1 и третьего порядка 2 1  4 994 см 1 .…”
Section: изучение алмазо-и графитоподобных состояний в спектрах кр на...unclassified
“…Наблюдаемое нами значительное возрастание интенсивностей колебательных полос  2 ,  3 в спектрах КР наночастиц и микрокристаллитов MoS 2 при лазерном возбуждении 488 нм и усилении широкополосного электронного фона (ШЭÔ) также может быть связано с изменением сил химических связей и соответствующим внутренним самосжатием. Óкажем, что возникновение и усиление ШЭÔ в колебательных спектрах связано с индуцированием новых электронных состояний в запрещённой зоне слоистых кристаллов MoS 2 (E g 2,5 эÂ) в результате сильного колебательно-электронного взаимодействия (КЭÂ) [7][8][9][10]. Это согласуется с наблюдаемым сжатием до 5% межслоевого расстояния в приповерхностных слоях 2Н-MoS 2 , а также уменьшением расстояний между ионами металлов в дихалькогенидах MX 2 при увеличении номера группы металла М в периодической системе (IVVVI) [11].…”
Section: Introductionunclassified