Dielectric Properties of Tungsten Oxide Thin Film Prepared by Spray Pyrolysis

Elshafie, A.; Afify, H. H.; Abdel-All, A.

doi:10.1002/(sici)1521-396x(199907)174:1<301::aid-pssa301>3.0.co;2-g

Cited by 12 publications

(6 citation statements)

References 23 publications

(16 reference statements)

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…It was recently shown that doping of Ga 2 O 3 thin films with W lead to a significant decrease in the materials dielectric constant (k). 10 In this prior study a k of 1.5 was obtained for dense Ga 2Àx W x/2 O 3Àd thin films, which is significantly lower than that obtained for either undoped Ga 2 O 3 (k = 10) 11 or WO 3 (k 4 10) 12,13 thin films. These results were of interest since low-k dielectrics typically require incorporation of significant porosity to materials already having relatively low-k, such as silicates and organosilanes.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 74%

Aqueous-based synthesis of gallium tungsten oxide thin film dielectrics

2015

View full text Add to dashboard Cite

An aqueous-based approach to the deposition of gallium tungsten oxide thin film dielectrics was developed where the metal content (Ga 2Àx W x/2 O 3Àd , x = 0.31-0.66) can be controlled by the initial precursor concentrations, while the oxygen deficiency (d) can be controlled by post annealing. The spin-coated precursor converts to an amorphous oxide thin film with uniform distribution of metal cations after heating to 400 1C. The Ga 2Àx W x/2 O 3Àd band gap decreased with increasing W content from 4.9 eV for the undoped film (Ga 2 O 3 ) to 4.6 eV for the film with the highest W content (Ga 1.34 W 0.33 O 3Àd ). The electronic properties of the dielectric films significantly improved with incorporation of W, where a decrease in leakage current and an increase in breakdown field strength from 2.9 MV cm À1 (Ga 2 O 3 ) to 5.2 MV cm À1 (Ga 1.34 W 0.33 O 3Àd ) was observed. Prior studies have suggested that Ga 2Àx W x/2 O 3Àd thin films can form dense low-k dielectric materials, where the relative amount of W in the film can significantly modify the dielectric constant. However our studies found no significant decrease in the dielectric constant with W doping of Ga 2 O 3 . We found that annealing the films 4400 1C in air resulted in the formation of substoichiometric WO x and metallic W throughout the films which may complicate dielectric measurements.

show abstract

Section: Introductionmentioning

confidence: 74%

Aqueous-based synthesis of gallium tungsten oxide thin film dielectrics

2015

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Also, this is may be attributed to the increased mobility of polar groups and increase in the number of mobile dipoles at this frequency [27]. Also, after the maximum peak at ≈ 3.5 MHz the (ε") was decreased again due to the low distributed of the orientational dipole due to the decreasing in the crosslinkage [22].…”

Section: Dielectric Lossmentioning

confidence: 87%

“…This increase may be attributed to the orientation of the dipoles which formed from the charge carriers. The increase in temperature increases the ability of dipoles to align along the applied field [21] and thereby increasing the effective length of dipole which, in turn, should cause increasing the capacitance [22] and hence increase the dielectric constant.…”

Section: Dielectric Constantmentioning

confidence: 99%

Preparation and characterization of polyani-line/polyvinyl alcohol nanocomposite by laser irradiation

Shahin

Mongy²,

Kamal³

et al. 2017

IJBAS

View full text Add to dashboard Cite

Polyaniline (PANI) -Polyvinyl alcohol (PVA) nanocomposite were prepared using laser irradiation method. X-ray diffraction results showed that, (PANI/PVA) nanocomposite exhibited amorphous nature of polymer. The electronic transition will be studied using Ultraviolet-Visible spectrometer (UV-Vis). The real part of dielectric constant (έ) and imaginary part (ε") were studied. Also, the relaxation time was calculated.

show abstract

“…Диэлектрические свойства оксида вольфрама исследовались в нескольких работах [13,[16][17][18], при этом изучались как тонкие пленки в разном фазовом состоянии (поликристаллические [16], аморфные [18]), так и керамические образцы, спрессованные из порошка WO 3 и затем отожженные [13,17]. Данные исследования позволили выявить характер изменения таких характеристик, как диэлектрическая проницаемость, диэлектрические потери и тангенс угла диэлектрических потерь, проводимость на переменном токе и соответственно энергия активации проводимости в широком интервале частот и температур.…”

Section: Introductionunclassified

“…Анализ результатов, полученных в вышеуказанных работах, показал, что фазовое состояние и способ приготовления образцов оказывают самое существенное влияние не только на абсолютные значения диэлектрических параметров, но даже на само их поведение. Например, авторы работы [16] установили, что диэлектрическая проницаемость ε ′ с ростом температуры уменьшается для тонких пленок WO 3 , а в работе [17] тот же параметр с ростом температуры увеличивается для массивного оксида вольфрама, при этом абсолютные значения также сильно различаются, соответственно 350 (при угловой частоте ω = 1 кГц) и 1.2 • 10 5 (ω = 2 кГц). Влияние физико-химических параметров образцов WO 3 на диэлектрические свойства является малоизученным.…”

Section: Introductionunclassified

Диэлектрические Свойства Нанокристаллического Оксида Вольфрама В Области Температур 223-293 K

Козюхин¹,

Бедин²,

Рудаковская³

et al. 2018

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Исследованы диэлектрические свойства нанокристаллического оксида вольфрама в интервале температур 223−293 K и в диапазоне частот ν = 10 −2 −10 6 Гц. Порошки WO 3 с размерами частиц 110, 150 и 200 нм были приготовлены термической обработкой паравольфрамата аммония при различных температурах. Установлено, что для всех образцов частотные зависимости проводимости являются возрастающими с увеличением частоты, в то время как поляризационные характеристики ε ′ (ν) и ε ′′ (ν) уменьшаются. Найдено, что частотные зависимости проводимости описываются функцией вида ν s с показателем степени, находящимся в диапазоне (0.83−0.90) ± 0.01, что свойственно " прыжковому" механизму перемещения заряженных частиц (комплексов) по локализованным состояниям, ограниченным потенциальными барьерами и дефектами структуры.

show abstract

Dielectric Properties of Tungsten Oxide Thin Film Prepared by Spray Pyrolysis

Cited by 12 publications

References 23 publications

Aqueous-based synthesis of gallium tungsten oxide thin film dielectrics

Aqueous-based synthesis of gallium tungsten oxide thin film dielectrics

Preparation and characterization of polyani-line/polyvinyl alcohol nanocomposite by laser irradiation

Диэлектрические Свойства Нанокристаллического Оксида Вольфрама В Области Температур 223-293 K

Contact Info

Product

Resources

About