Die Lösung von Halbleiterproblemen mit der Elektronenstrahlmikrosonde

Abstract

Die Losung von Halbleiterproblemen mit der Elektronenstrahlmikrosonde l )Mit einer Farbtafel I Es wird ein aberblick gegeben uber die Anwendung der Elektronenstrahlmikrosonde zur chemischen Analyse von Halbleitermaterialien und Halbleiterbauelementen sowie zur Untersuchung von pn-tfbergiingen. Die Untersuchungsergebnisse beziehen sich auf den Nachweis von Ausscheidungsvorgiingen der Verunreinigungen und deren Auswirkung auf die elektrischen Parameter der Halbleiterbauelemente. Es wird gezeigt, daB die Anwendung der Induzierten-Stromsignal-Methode die Abbildung der p-n-Tfbergiinge und den Nachweis verschiedener Fehlermechanismen ermoglicht.The use of electron beam X-ray microprobe testing in the chemical analysis of semiconductor materials and devices and also in the measurement of the p-n junction electrical parameters is reported. Results of analyses are presented on the precipitation of impurities and on various effects of the contaminants on device parameters. It is shown that the display of p-n junction structure and also the detection of failure types is possible by using the induced current mode method.