Development and Characterization of Porous Silicon (a Review)

Biosensors Based on the Photoluminescence of Porous Silicon. Overall Characteristics and Application

“…При j>j кр концентрация ионов F -в зоне реакции недостаточная и рав-новесие смещается в сторону реакции раство-рения Si в четырехвалентной форме с образо-ванием пленки SiO 2 , которая легко растворяе-тся в HF [7]. Особенности ПК (структура, ве-личина и плотность размещения пор) и его ФЛ определяются многими параметрами, вклю-чая характеристики верхнего слоя Si, располо-женного близко к поверхности, время аноди-зации, плотность тока, концентрацию раство-ра, его рН и величину энергии возбуждения ФЛ [8][9][10][11][12]. Известно несколько модификаций изготовления ПК, к которым принадлежат: анодизация в темноте с последующим травле-нием на свету, анодизация в магнитном поле, пульсирующая анодизация [13] и травление без использования электрического тока и све-та [14,15].…”

“…В качестве примеров использования ПК в оптических приборах можно привести свето-излучаемые диоды [6,11,[42][43][44] и фотогальва-нические элементы, которые являются весьма перспективными при создании солнечных эле-ментов [45]. Благодаря возможности получе-ния ПК с различными характеристиками по-ристости можно подобрать образцы с эффек-тивным показателем преломления света в до-вольно широкой области -1,1-2,6.…”

Crater Structure and Photoluminescence of Porous Silicon

“…Porous silicon grown at low current densities has a multilayer structure [10] . The red PL peak wavelength of porous silicon ranged from 550 to 850nm by changing the reaction conditions [11,12] .The microstructure and PL performance of p-Si produced by single-groove electrochemical anodic etching method will be researched at large current density in this paper.…”